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2SC3075	文件：208.46 Kbytes Page：4 Pages	TRANSISTOR (SWITCHING REGULATOR AND HIGH VOLTAGE SWITCHING, HIGH SPEED DC-DC CONVERTER APPLICATIONS) Switching Regulator and High Voltage Switching Applications DC-DC Converter Applications DC-AC Converter Applications • Excellent switching times: tr= 1.0 μs (max) tf= 1.5 μs (max), (IC= 0.5 A) • High collector breakdown voltage: VCE 文件：208.46 Kbytes 页数：4 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SC3075	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	Bipolar Small-Signal Transistors MOS GT30F126 30F126 30A/330V IGBT TO-220F Toshiba 30F126 GT30F126 Reference site : http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html Reference PDF (30F124, 30F125, 30F127, 30F128, 30F131) : http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf 文件：1.58274 Mbytes 页数：73 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SC3075	文件：294.31 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 400V(Min) ·DC Current Gain- : hFE= 20(Min)@ IC= 0.1A ·Fast switching speed ·Large current capacity APPLICATIONS ·Power amplifier applications ·Driver stage amplifier applications 文件：294.31 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SC3075	文件：43.32 Kbytes Page：1 Pages	NPN Silicon Epitaxial Transistor Features ● Excellent Switching Times tr=1.0ìs (Max.) tf=1.5ìs (Max.) at IC=0.5A ● High colletor Breakdown Voltage: VCEO=400V 文件：43.32 Kbytes 页数：1 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
2SC3075	文件：170.75 Kbytes Page：5 Pages	Silicon NPN Triple Diffused Type (PCT process) Switching Regulator and High Voltage Switching 文件：170.75 Kbytes 页数：5 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SC3075	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power transistor for high-speed switching applications Application Scope：High voltage switching / Switching regulators\nPolarity：NPN\nRoHS Compatible Product(s) (#)：Available\nAssembly bases：日本 Collector Current IC 0.8 A \nCollector power dissipation PC 10 W \nCollector power dissipation PC 1 W \nCollector-Base Voltage VCBO 500 V \nCollector-emitter voltage VCEO 400 V ;	Toshiba 东芝	Toshiba
2SC3075-251	文件：294.31 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 400V(Min) ·DC Current Gain- : hFE= 20(Min)@ IC= 0.1A ·Fast switching speed ·Large current capacity APPLICATIONS ·Power amplifier applications ·Driver stage amplifier applications 文件：294.31 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SC3075_06	文件：170.75 Kbytes Page：5 Pages	Silicon NPN Triple Diffused Type (PCT process) Switching Regulator and High Voltage Switching 文件：170.75 Kbytes 页数：5 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA

晶体管资料

型号：
2SC3075
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
开关管（S）_功率放大（L）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
500V
最大电流允许值：
0.8A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
2SC3363,2SC3588,2SC3632,2SC3825,
最大耗散功率：
10W
放大倍数：
图片代号：
A-80
vtest：
500
htest：
999900
atest：
0.8
wtest：
10

技术参数

Product Category：
Power transistor for high-speed switching applications
Package name(Toshiba)：
PW-Mold
Recommended Product 1：
2SC5548A(Almost same package but similar characteristics)

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