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2SC3133

NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE (RF POWER TRANSISTOR)

DESCRIPTION 2SC3033 is a silicon NPN epitaxial planar type transistor designed for RF power amplifiers in HF mobile radio applications. APPLICATIONs 10 watts output power amplifiers in HF band SSB mobile radio application.

文件:133.46 Kbytes 页数:3 Pages

MITSUBISHI

三菱电机

2SC3133

NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

DESCRIPTION: The ASI 2SC3133is Designed for RF Power amplifiers in HF band mobile radio Applications.

文件:69.21 Kbytes 页数:1 Pages

ASI

2SC3133

10 watts output power amplifiers in HF band SSB mobile radio application

文件:283.63 Kbytes 页数:4 Pages

ELEFLOW

2SC3133

RF POWER TRANSISTOR NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE

MITSUBISHI

三菱电机

晶体管资料

  • 型号:

    2SC3133

  • 别名:

    三极管、晶体管、晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    Si-NPN

  • 性质:

    调幅 (AM)_功率放大 (L)

  • 封装形式:

    直插封装

  • 极限工作电压:

    60V

  • 最大电流允许值:

    6A

  • 最大工作频率:

    27MHZ

  • 引脚数:

    3

  • 可代换的型号:

    2SC1945,2SD568,

  • 最大耗散功率:

    16W

  • 放大倍数:

  • 图片代号:

    B-11

  • vtest:

    60

  • htest:

    27000000

  • atest:

    6

  • wtest:

    16

详细参数

  • 型号:

    2SC3133

  • 制造商:

    ASI

  • 制造商全称:

    ASI

  • 功能描述:

    NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

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