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2SC3153	文件：93.56 Kbytes Page：3 Pages	Switching Regulator Applications 800V/6A Switching Regulator Applications Features • High breakdown voltage (VCBO≥900V). • Fast switching speed. • Wide ASO. 文件：93.56 Kbytes 页数：3 Pages	SANYO 三洋	SANYO
2SC3153	文件：127.08 Kbytes Page：3 Pages	POWER TRANSISTORS(6A,800V,100W) 文件：127.08 Kbytes 页数：3 Pages	MOSPEC 统懋	MOSPEC
2SC3153	文件：192.56 Kbytes Page：4 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION • With TO-3PN package • High breakdown voltage (VCBO ≥ 900V) • Fast switching speed • Wide ASO Safe Operating Area APPLICATIONS • 800V/6A switching regulator applications 文件：192.56 Kbytes 页数：4 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SC3153	文件：222.95 Kbytes Page：4 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION • With TO-3PN package • High breakdown voltage (VCBO ≥ 900V) • Fast switching speed • Wide ASO Safe Operating Area APPLICATIONS • 800V/6A switching regulator applications 文件：222.95 Kbytes 页数：4 Pages	JMNIC 锦美电子	JMNIC
2SC3153	文件：205.97 Kbytes Page：4 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION • With TO-3PN package • High breakdown voltage (VCBO ≥ 900V) • Fast switching speed • Wide ASO Safe Operating Area APPLICATIONS • 800V/6A switching regulator applications 文件：205.97 Kbytes 页数：4 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2SC3153	文件：207.66 Kbytes Page：4 Pages	Silicon NPN Power Transistors 文件：207.66 Kbytes 页数：4 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2SC3153	文件：300 bytes Page：1 Pages	Trans GP BJT NPN 800V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-3PB	NJS	NJS
2SC3153	文件：300 bytes Page：1 Pages	三极管	Mospec 统懋	Mospec
2SC3153	文件：300 bytes Page：1 Pages	Switching Regulator Applications	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2SC3153_15	文件：222.95 Kbytes Page：4 Pages	Silicon NPN Power Transistors 文件：222.95 Kbytes 页数：4 Pages	JMNIC 锦美电子	JMNIC

晶体管资料

型号：
2SC3153
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
开关管（S）_功率放大（L）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
900V
最大电流允许值：
6A
最大工作频率：
15MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BUW11A,BUW131A,2SC3322,2SC3535,2SC3796A,2SC3846,2SC3981,
最大耗散功率：
100W
放大倍数：
图片代号：
B-11
vtest：
900
htest：
15000000
atest：
6
wtest：
100

技术参数

VCBO(V)：
900
VCEO(V)：
800
PD(W)：
100
PACKAGE：
TO-3P
NPN：
2SC3153
HFE(Min/Max)：
8.0
IC/VCE(A/V)：
2.0/5.0
VCE(SAT)(V)：
2.0
IC / IB(A/mA)：
3.0/600

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