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2SC3076	文件：169.26 Kbytes Page：5 Pages	Power Amplifier Applications Power Switching Applications Power Amplifier Applications Power Switching Applications • Low collector saturation voltage: VCE (sat) = 0.5 V (max) (IC = 1 A) • Excellent switching time: tstg = 1.0 μs (typ.) • Complementary to 2SA1241 文件：169.26 Kbytes 页数：5 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SC3076	文件：44.03 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Epitaxial Features ● Low Collectror Saturation Voltage:VCE(sat)=0.5V(Max.)(IC=1A) ● Excellent Switching Time :tstg=1.0μs(Typ.) 文件：44.03 Kbytes 页数：2 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
2SC3076-251	文件：298.75 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 50V(Min) ·DC Current Gain- : hFE= 70(Min)@ IC= 0.5A ·Fast switching speed ·Large current capacity APPLICATIONS ·Power amplifier applications ·Driver stage amplifier applications 文件：298.75 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SC3076-252	文件：279.69 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 50V(Min) ·DC Current Gain- : hFE= 70(Min)@ IC= 0.5A ·Fast switching speed ·Large current capacity APPLICATIONS ·Power amplifier applications ·Driver stage amplifier applications 文件：279.69 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SC3076Y	文件：169.26 Kbytes Page：5 Pages	Power Amplifier Applications Power Switching Applications Power Amplifier Applications Power Switching Applications • Low collector saturation voltage: VCE (sat) = 0.5 V (max) (IC = 1 A) • Excellent switching time: tstg = 1.0 μs (typ.) • Complementary to 2SA1241 文件：169.26 Kbytes 页数：5 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SC3080	文件：111.99 Kbytes Page：1 Pages	2SC3080 FTR • FTL Low profile flat-package for limited spece applications. Tape type can be used on automated line. Bulk type is also available. 文件：111.99 Kbytes 页数：1 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
2SC3080M	文件：111.99 Kbytes Page：1 Pages	2SC3080 FTR • FTL Low profile flat-package for limited spece applications. Tape type can be used on automated line. Bulk type is also available. 文件：111.99 Kbytes 页数：1 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
2SC3082	文件：111.99 Kbytes Page：1 Pages	2SC3080 FTR • FTL Low profile flat-package for limited spece applications. Tape type can be used on automated line. Bulk type is also available. 文件：111.99 Kbytes 页数：1 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
2SC3083	文件：209.98 Kbytes Page：4 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-3PN package ·High breakdown voltage (VCBO≥500V) ·Fast switching speed ·Wide ASO（ Safe Operating Area） APPLICATIONS ·400V/6A switching regulator applications 文件：209.98 Kbytes 页数：4 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SC3083	文件：96.95 Kbytes Page：3 Pages	For Switching Regulators 400V/6A Switching Regulator Applications Features · High breakdown voltage (VCBO≥500V). · Fast switching speed. · Wide ASO. 文件：96.95 Kbytes 页数：3 Pages	SANYO 三洋	SANYO

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晶体管资料

型号：
2SC3021
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
超高频/特高频（UHF）_功率放大（L）
封装形式：
贴片封装
极限工作电压：
35V
最大电流允许值：
2A
最大工作频率：
520MHZ
引脚数：
4
可代换的型号：
2SC1967,2SC2284,2SC3108,
最大耗散功率：
8W
放大倍数：
图片代号：
G-253
vtest：
35
htest：
520000000
atest：
2
wtest：
8

详细参数

型号：
2SC30
制造商：
MITSUBISHI
制造商全称：
Mitsubishi Electric Semiconductor
功能描述：
NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE(RF POWER TRANSISTOR)

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市金华微盛电子有限公司	2SC3021	MITSUBI	2019+	TO-58	6992	原厂渠道可含税出货	询价
深圳市旺财半导体有限公司	2SC3021	MITSUBISHI/三菱	23+		1688	房间现货库存:QQ:373621633	询价
深圳市勤思达科技有限公司	2SC3021	富士	10+	主营模块	500	原装正品,绝对正品,现货供应	询价
深圳市毅创腾电子科技有限公司	2sc3021	NEC	23+	高频管	1200	专营高频管模块,全新原装!	询价
深圳市一线半导体有限公司	2sC3021	MITSUBISHI	24+		46		询价
深圳市弘为电子有限公司	2SC3021	MITSUBISHI	24+	三极管	3560	原装现货假一罚十	询价
深圳市粤骏腾电子科技有限公司	2SC3021	MITSUBIS	24+		160	现货供应	询价
深圳市百诺芯科技有限公司	2SC3021	MITSUBIS	23+	TO-59	8510	原装正品代理渠道价格优势	询价
深圳市莱克讯科技有限公司	2SC3021	MITSUBIS	1922+	TO-58	8600	莱克讯原厂货源每一片都来自原厂原装现货薄利多	询价
深圳市安富世纪电子有限公司	2SC3021	N/A	23+		80000	专注配单,只做原装进口现货	询价

更多2SC30供应商更新时间2026-2-5 16:04:00

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