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2SC3022	文件：147.02 Kbytes Page：1 Pages	NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE DESCRIPTION 2SC3022isasiliconNPNepitaxialplanartypetransistorspecificallydesignedforUHFhighpoweramplifierapplications. APPLICATION Foroutputstageof15WpoweramplifiersinUHFband.	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司
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2SC3022

文件：147.02 Kbytes

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NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE

DESCRIPTION 2SC3022isasiliconNPNepitaxialplanartypetransistorspecificallydesignedforUHFhighpoweramplifierapplications. APPLICATION Foroutputstageof15WpoweramplifiersinUHFband.

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司

2SC3022

文件：168 Kbytes

Page：3 Pages

NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE (RF POWER TRANSISTOR)

MitsubishiMITSUBISHI electlic

三菱电机

晶体管资料

型号：
2SC3022
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
超高频/特高频（UHF）_功率放大（L）
封装形式：
贴片封装
极限工作电压：
35V
最大电流允许值：
7A
最大工作频率：
520MHZ
引脚数：
4
可代换的型号：
2SC2285A,2SC2695,
最大耗散功率：
22W
放大倍数：
图片代号：
G-253
vtest：
35
htest：
520000000
atest：
7
wtest：
22

详细参数

型号：
2SC3022
制造商：
MITSUBISHI
制造商全称：
Mitsubishi Electric Semiconductor
功能描述：
NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE(RF POWER TRANSISTOR)

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多2SC3022供应商更新时间2024-4-26 16:03:00

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