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2SC2884	文件：442.7 Kbytes Page：3 Pages	丝印：PO1；Package：SOT-89；NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor FEATURES Suitable for output stage of 1 watts amplifier. High DC current gain. Small flat package. PC=1.0 to 2.0W. Complements the 2SA1204. 文件：442.7 Kbytes 页数：3 Pages	DGNJDZ 南晶电子	DGNJDZ
2SC2884	文件：173.38 Kbytes Page：2 Pages	TRANSISTOR (NPN) FEATURES Power dissipation PCM: 0.5 W (Tamb=25℃) Collector current ICM: 0.8 A Collector-base voltage V(BR)CBO: 35 V Operating and storage junction temperature range TJ, Tstg: -55℃ to +150℃ 文件：173.38 Kbytes 页数：2 Pages	WINNERJOIN 永而佳	WINNERJOIN
2SC2884	文件：102.31 Kbytes Page：2 Pages	Suitable for output stage of 3 watts amplifier. FEATURES • Suitable for output stage of 3 watts amplifier. • High DC current gain. • Small flat package. • PC=1.0 to 2.0W. • Complements the 2SA1204. 文件：102.31 Kbytes 页数：2 Pages	MAKOSEMI 美科半导体	MAKOSEMI
2SC2884	文件：1.21023 Mbytes Page：6 Pages	Silicon PNP transistor in a SOT-89 Plastic Package Descriptions Silicon NPN transistor in a SOT-89 Plastic Package. Features High hFE, for out stage of 1 watts amplifier, complementary to 2SA1204. Applications Audio frequency amplifier applications 文件：1.21023 Mbytes 页数：6 Pages	FOSHAN 蓝箭电子	FOSHAN
2SC2884	文件：169.95 Kbytes Page：2 Pages	Plastic-Encapsulate Transistors FEATURES • Suitable for output stage of 3 watts amplifier. • High DC current gain. • Small flat package. • PC=1.0 to 2.0W. • Complements the 2SA1204. 文件：169.95 Kbytes 页数：2 Pages	HOTTECH 合科泰	HOTTECH
2SC2884-O	文件：78.13 Kbytes Page：1 Pages	NPN Epitaxial Planar Transistor FEATURES ● Small Flat Package ● Complementary to 2SA1204 ● High DC Current Gain 文件：78.13 Kbytes 页数：1 Pages	SECOS 喜可士	SECOS
2SC2884Y	文件：380.33 Kbytes Page：2 Pages	NPN-General use transistor NPN-General use transistor 1W 、1.5A、25V Applications： Can be used for switching and amplifying in various electrical and electronic equipments 文件：380.33 Kbytes 页数：2 Pages	SKTECHNOLGYSHIKE Electronics 时科广东时科微实业有限公司	SKTECHNOLGY
2SC2884-Y	文件：78.13 Kbytes Page：1 Pages	NPN Epitaxial Planar Transistor FEATURES ● Small Flat Package ● Complementary to 2SA1204 ● High DC Current Gain 文件：78.13 Kbytes 页数：1 Pages	SECOS 喜可士	SECOS
2SC2884-Y	文件：133.3 Kbytes Page：4 Pages	Audio Frequency Amplifier Applications Audio Frequency Amplifier Applications • High DC current gain: hFE = 100 to 320 • Suitable for output stage of 1 watts amplifier • Small flat package • PC = 1.0 to 2.0 W (mounted on a ceramic substrate) • Complementary to 2SA1204 文件：133.3 Kbytes 页数：4 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SC2885	文件：128.449 Kbytes Page：6 Pages	NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR FOR HIGH-VOLTAGE HIGH-SPEED SWITCHING NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR FOR HIGH-VOLTAGE HIGH-SPEED SWITCHING The 2SC2885, 2946, and 2946(1) are high-voltage high-speed switching power transistors featuring a small package (MP-3) which is suitable for high-density mounting. These transistors are ideal for drivers in DC/DC converters a 文件：128.449 Kbytes 页数：6 Pages	NEC 瑞萨	NEC

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晶体管资料

型号：
2SC2881
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
表面帖装型（SMD）_通用型（Uni）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
120V
最大电流允许值：
0.8A
最大工作频率：
120MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
2SD1007,2SD1418,2SD1419,3DK104E,
最大耗散功率：
放大倍数：
图片代号：
H-100
vtest：
120
htest：
120000000
atest：
0.8
wtest：
0

技术参数

Polarity：
NPN
Features：
Power Amps Driver Stage
VCEO(Max)(V)：
120
IC(Max)(A)：
0.8
hFE(Min)：
80
hFE(Max)：
240
VCE(sat)(Max)(V)：
1.0
fT(Typ.)(MHz)：
120
ComplementaryProduct：
2SA1201
Comments：
Rank is specified by hFE range.
Number of pins：
3
Surface mount package：
Y
Package name：
PW-Mini
Width×Length×Height(mm)：
4.6 x 4.2 x 1.6

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多2SC288供应商更新时间2026-3-10 18:58:00

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