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2SC2884-Y	文件：133.3 Kbytes Page：4 Pages	Audio Frequency Amplifier Applications AudioFrequencyAmplifierApplications •HighDCcurrentgain:hFE=100to320 •Suitableforoutputstageof1wattsamplifier •Smallflatpackage •PC=1.0to2.0W(mountedonaceramicsubstrate) •Complementaryto2SA1204	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
2SC2884-Y	文件：78.13 Kbytes Page：1 Pages	NPN Epitaxial Planar Transistor FEATURES ●SmallFlatPackage ●Complementaryto2SA1204 ●HighDCCurrentGain	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
2SC2884-Y-HF	文件：1.18252 Mbytes Page：2 Pages	NPN Transistors	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
2SC2884	文件：442.7 Kbytes Page：3 Pages	NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistor FEATURES Suitableforoutputstageof1watts amplifier. HighDCcurrentgain. Smallflatpackage. PC=1.0to2.0W. Complementsthe2SA1204.	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ
2SC2884	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	BipolarSmall-SignalTransistors MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
2SC2884	文件：159.29 Kbytes Page：3 Pages	NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistor FEATURES ●Suitableforoutputstageof1wattsamplifier. ●HighDCcurrentgain. ●Smallflatpackage. ●PC=1.0to2.0W. ●Complementsthe2SA1204.	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 银河微电常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
2SC2884	文件：133.3 Kbytes Page：4 Pages	AudioFrequencyAmplifierApplications AudioFrequencyAmplifierApplications •HighDCcurrentgain:hFE=100to320 •Suitableforoutputstageof1wattsamplifier •Smallflatpackage •PC=1.0to2.0W(mountedonaceramicsubstrate) •Complementaryto2SA1204	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
2SC2884	文件：102.31 Kbytes Page：2 Pages	Suitableforoutputstageof3wattsamplifier. FEATURES •Suitableforoutputstageof3wattsamplifier. •HighDCcurrentgain. •Smallflatpackage. •PC=1.0to2.0W. •Complementsthe2SA1204.	MAKOSEMIMAKO SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED 美科半导体美科半导体股份（香港）有限公司	MAKOSEMI
2SC2884	文件：173.38 Kbytes Page：2 Pages	TRANSISTOR(NPN) FEATURES Powerdissipation PCM:0.5W(Tamb=25℃) Collectorcurrent ICM:0.8A Collector-basevoltage V(BR)CBO:35V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55℃to+150℃	WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD 永而佳深圳市永而佳实业有限公司	WINNERJOIN
2SC2884	文件：161.94 Kbytes Page：3 Pages	TRANSISTOR(AUDIOFREQUENCYAMPLIFIERAPPLICATIONS) AudioFrequencyAmplifierApplications •HighDCcurrentgain:hFE=100to320 •Suitableforoutputstageof1wattsamplifier •Smallflatpackage •PC=1.0to2.0W(mountedonaceramicsubstrate) •Complementaryto2SA1204	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA

详细参数

型号：
2SC2884-Y
功能描述：
两极晶体管 - BJT Transistor NPN 30V 0.8A
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

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