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PO1

型号:2SC2884;Package:SOT-89;NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor

FEATURES Suitableforoutputstageof1watts amplifier. HighDCcurrentgain. Smallflatpackage. PC=1.0to2.0W. Complementsthe2SA1204.

DGNJDZNanjing International Group Co

南晶电子东莞市南晶电子有限公司

DGNJDZ

详细参数

  • 型号:

    PO1

  • 功能描述:

    两极晶体管 - BJT Transistor NPN 30V 0.8A

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO:

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO:

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO:

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT:

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min:

    100 A

  • 安装风格:

    SMD/SMT

  • 封装/箱体:

    PowerFLAT 2 x 2

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更多PO1供应商 更新时间2025-8-4 10:18:00