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2SC2880	文件：188.4 Kbytes Page：3 Pages	TRANSISTOR (HIGH VOLTAGE SWITCHING APPLICATIONS) High Voltage Switching Applications High voltage: VCEO= 150 V High transition frequency: fT= 120 MHz Small flat package PC= 1.0 to 2.0 W (mounted on ceramic substrate) Complementary to 2SA1200 文件：188.4 Kbytes 页数：3 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SC2880	文件：465.08 Kbytes Page：3 Pages	High Voltage Switching Applications ■ Features ● High Voltage:VCEO=150V ● High Transition Frequency ● Small Flat Package ● Complementary to 2SA1200 文件：465.08 Kbytes 页数：3 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
2SC2881	文件：1.53757 Mbytes Page：4 Pages	SOT-89-3L Plastic-Encapsulate Transistors TRANSISTOR (NPN) FEATURES ● Small Flat Package ● High Transition Frequency ● High Voltage ● Complementary to 2SA1201 APPLICATIONS ● Power Amplifier and Voltage Amplifier 文件：1.53757 Mbytes 页数：4 Pages	JIANGSU 长电科技	JIANGSU
2SC2881	文件：340.77 Kbytes Page：1 Pages	TRANSISTOR (NPN) FEATURES ● Small Flat Package ● High Transition Frequency ● High Voltage ● Complementary to 2SA1201 APPLICATIONS ● Power Amplifier and Voltage Amplifier VCBO Collector-Base Voltage 120V VCEO Collector-Emitter Voltage 120V VEBO Emitter-Base Voltage 5V IC Collector Current 800mA PC Co 文件：340.77 Kbytes 页数：1 Pages	HTSEMI 金誉半导体	HTSEMI
2SC2881	文件：357.4 Kbytes Page：2 Pages	Voltage Amplifier Applications Features ● High Voltage : VCEO = 120V ● High Transition Frequency : fT = 120MHz(typ.) ● Small Flat Package ● Complementary to 2SA1201 文件：357.4 Kbytes 页数：2 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
2SC2881	文件：159.12 Kbytes Page：2 Pages	TRANSISTOR (POWER AMPLIFIER APPLICATIONS) Voltage Amplifier Applications Power Amplifier Applications • High voltage: VCEO = 120 V • High transition frequency: fT = 120 MHz (typ.) • Small flat package • PC = 1.0 to 2.0 W (mounted on ceramic substrate) • Complementary to 2SA1201 文件：159.12 Kbytes 页数：2 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SC2881	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	Bipolar Small-Signal Transistors MOS GT30F126 30F126 30A/330V IGBT TO-220F Toshiba 30F126 GT30F126 Reference site : http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html Reference PDF (30F124, 30F125, 30F127, 30F128, 30F131) : http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf 文件：1.58274 Mbytes 页数：73 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SC2881	文件：115.9 Kbytes Page：3 Pages	VOLTAGE AMPLIFIER APPLICATIONS POWER AMPLIFIER APPLICATIONS VOLTAGE AMPLIFIER APPLICATIONS POWER AMPLIFIER APPLICATIONS FEATURES * High voltage: VCEO=120V * High transition frequency: fT=120MHz(typ.) * Complementary to 2SA1201 文件：115.9 Kbytes 页数：3 Pages	UTC 友顺	UTC
2SC2881	文件：175.77 Kbytes Page：4 Pages	丝印：DKP；Package：SOT-89；NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor FEATURES ● High voltage:VCEO=120V ● High transition frequency;fT=120MHz. ● PC=500mW. ● Complements the 2SA1201. APPLICATIONS ● Power and voltage amplifier application. 文件：175.77 Kbytes 页数：4 Pages	BILIN 银河微电	BILIN
2SC2881	文件：480.2 Kbytes Page：4 Pages	丝印：CO1；Package：SOT-89；NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor FEATURES High voltage:VCEO=120V High transition frequency;fT=120MHz. PC=500mW. Complements the 2SA1201. APPLICATIONS Power and voltage amplifier application. 文件：480.2 Kbytes 页数：4 Pages	DGNJDZ 南晶电子	DGNJDZ

晶体管资料

型号：
2SC2881
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
表面帖装型（SMD）_通用型（Uni）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
120V
最大电流允许值：
0.8A
最大工作频率：
120MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
2SD1007,2SD1418,2SD1419,3DK104E,
最大耗散功率：
放大倍数：
图片代号：
H-100
vtest：
120
htest：
120000000
atest：
0.8
wtest：
0

技术参数

Polarity：
NPN
Features：
Power Amps Driver Stage
VCEO(Max)(V)：
120
IC(Max)(A)：
0.8
hFE(Min)：
80
hFE(Max)：
240
VCE(sat)(Max)(V)：
1.0
fT(Typ.)(MHz)：
120
ComplementaryProduct：
2SA1201
Comments：
Rank is specified by hFE range.
Number of pins：
3
Surface mount package：
Y
Package name：
PW-Mini
Width×Length×Height(mm)：
4.6 x 4.2 x 1.6

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多2SC288供应商更新时间2026-3-10 18:58:00

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