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2SB882	文件：76.88 Kbytes Page：2 Pages	Silicon PNP Darlington Power Transistor 文件：76.88 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2SB883	文件：77.04 Kbytes Page：2 Pages	Silicon PNP Darlington Power Transistor 文件：77.04 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2SB883	文件：84.02 Kbytes Page：2 Pages	High DC Current Gain- : hFE = 2000(Min)@ IC= -7A 文件：84.02 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SB884	文件：248.17 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon PNP Darlington Power Transistor 文件：248.17 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SB884	文件：75.87 Kbytes Page：2 Pages	Silicon PNP Darlington Power Transistor 文件：75.87 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2SB884	文件：102.82 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistor 文件：102.82 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2SB884	文件：101.21 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistor 文件：101.21 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2SB885	文件：100.92 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistor 文件：100.92 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2SB885	文件：102.53 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistor 文件：102.53 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2SB885	文件：75.75 Kbytes Page：2 Pages	Silicon PNP Darlington Power Transistor 文件：75.75 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI

技术参数

Maximum Transition Frequency：
20(Typ)MHz
Maximum Power Dissipation：
1750mW
Maximum Operating Temperature：
150°C
Maximum Emitter Base Voltage：
6V
Maximum DC Collector Current：
7A
Maximum Collector Emitter Voltage：
60V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage：
1.5@7mA@3.5AV
Maximum Collector Base Voltage：
70V
Material：
Si
Configuration：
Single
Category：
Bipolar Power

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多2SB88供应商更新时间2025-10-13 16:30:00

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