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2SB885	文件：131.49 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistor 文件：131.49 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC
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2SB885_15	文件：156.85 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistor 文件：156.85 Kbytes 页数：3 Pages	JMNIC 锦美电子	JMNIC
2SB885_2014	文件：156.85 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistor 文件：156.85 Kbytes 页数：3 Pages	JMNIC 锦美电子	JMNIC
2SB886	文件：75.58 Kbytes Page：2 Pages	Silicon PNP Darlington Power Transistor 文件：75.58 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2SB886	文件：103.95 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors 文件：103.95 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2SB886_15	文件：157.84 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors 文件：157.84 Kbytes 页数：3 Pages	JMNIC 锦美电子	JMNIC
2SB886_2014	文件：157.84 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors 文件：157.84 Kbytes 页数：3 Pages	JMNIC 锦美电子	JMNIC
2SB887	文件：189.08 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors 文件：189.08 Kbytes 页数：3 Pages	JMNIC 锦美电子	JMNIC
2SB887	文件：75.97 Kbytes Page：2 Pages	Silicon PNP Darlington Power Transistor 文件：75.97 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI

晶体管资料

型号：
2SB881
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-P+Darl+Di
性质：
低频或音频放大（LF）_开关管（S）_功率放大（L
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
70V
最大电流允许值：
7A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
BD648,BD900,BDW74B,BDX54B,2SB674,2SB791,2SB872,2SB1103,2SB1341,
最大耗散功率：
35W
放大倍数：
β=5000
图片代号：
B-21
vtest：
70
htest：
999900
atest：
7
wtest：
35

技术参数

Maximum Transition Frequency：
20(Typ)MHz
Maximum Power Dissipation：
1750mW
Maximum Operating Temperature：
150°C
Maximum Emitter Base Voltage：
6V
Maximum DC Collector Current：
7A
Maximum Collector Emitter Voltage：
60V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage：
1.5@7mA@3.5AV
Maximum Collector Base Voltage：
70V
Material：
Si
Configuration：
Single
Category：
Bipolar Power

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