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2SB885	文件：100.92 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistor 文件：100.92 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2SB885	文件：102.53 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistor 文件：102.53 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2SB885	文件：300 bytes Page：1 Pages	Trans Darlington PNP 100V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB	NJS	NJS
2SB885	文件：300 bytes Page：1 Pages	PNP Epitaxial Planar Silicon Darlington Transistors Driver Applications	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2SB885_15	文件：156.85 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistor 文件：156.85 Kbytes 页数：3 Pages	JMNIC 锦美电子	JMNIC
2SB885_2014	文件：156.85 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistor 文件：156.85 Kbytes 页数：3 Pages	JMNIC 锦美电子	JMNIC

晶体管资料

型号：
2SB885
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-P+Darl+Di
性质：
低频或音频放大（LF）_开关管（S）_功率放大（L
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
110V
最大电流允许值：
5A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
BD652,BD902,BDW24C,BDW64D,BW64D,2SB601,2SB727,2SB751,2SB1339,
最大耗散功率：
35W
放大倍数：
β=4000
图片代号：
B-10
vtest：
110
htest：
999900
atest：
5
wtest：
35

技术参数

Type：
PNP
Number of Elements per Chip：
1
Minimum Operating Temperature：
-55°C
Minimum DC Current Gain：
1500@2.5A@3V
Maximum Operating Temperature：
150°C
Maximum Emitter Base Voltage：
6V
Maximum Continuous DC Collector Current：
5A
Maximum Collector Emitter Voltage：
100V
Maximum Collector Base Voltage：
110V
Maximum Base Emitter Saturation Voltage：
2@5mA@2.5AV
Configuration：
Single

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