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2SB883	文件：84.02 Kbytes Page：2 Pages	High DC Current Gain- : hFE = 2000(Min)@ IC= -7A 文件：84.02 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SB883	文件：77.04 Kbytes Page：2 Pages	Silicon PNP Darlington Power Transistor 文件：77.04 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2SB883	文件：300 bytes Page：1 Pages	Trans Darlington PNP 60V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-3PB	NJS 新泽西半导体	NJS
2SB883	文件：300 bytes Page：1 Pages	PNP Epitaxial Planar Silicon Darlington Transistors Driver Applications	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

晶体管资料

型号：
2SB883
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-P+Darl+Di
性质：
低频或音频放大（LF）_开关管（S）_功率放大（L
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
70V
最大电流允许值：
15A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
BDV66A,BDV66B,BDV6C,BDV66D,BDW84B,BDW84C,BDW84D,
最大耗散功率：
70W
放大倍数：
β=5000
图片代号：
B-21
vtest：
70
htest：
999900
atest：
15
wtest：
70

技术参数

Type：
PNP
Number of Elements per Chip：
1
Minimum Operating Temperature：
-55°C
Minimum DC Current Gain：
2000@7A@2V
Maximum Operating Temperature：
150°C
Maximum Emitter Base Voltage：
6V
Maximum Continuous DC Collector Current：
15A
Maximum Collector Emitter Voltage：
60V
Maximum Collector Base Voltage：
70V
Maximum Base Emitter Saturation Voltage：
2@14mA@7AV
Configuration：
Single

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