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Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION • With TO-220C package • Complement to type 2SD866 • Low collector saturation voltage • High collector current capability APPLICATIONS • For power switching applications 文件：136.4 Kbytes 页数：3 Pages | ISC 无锡固电 | ISC | ||
Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION • With TO-220C package • Complement to type 2SD866 • Low collector saturation voltage • High collector current capability APPLICATIONS • For power switching applications 文件：162.55 Kbytes 页数：3 Pages | JMNIC 锦美电子 | JMNIC | ||
Silicon PNP Power Transistor DESCRIPTION • Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= -SOV(Min) • Good Linearity of hFE • Low Collector Saturation Voltage : VCE(sat)= -0.5V(Max)@lc= -5A APPLICATIONS • Designed for power switching applications. 文件：72.52 Kbytes 页数：2 Pages | NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司 | NJSEMI | ||
Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION • With TO-220C package • Complement to type 2SD866 • Low collector saturation voltage • High collector current capability APPLICATIONS • For power switching applications 文件：95.38 Kbytes 页数：3 Pages | SAVANTIC | SAVANTIC | ||
Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-220C package ·High speed switching ·Low collector saturation voltage APPLICATIONS ·For low voltage switching applications 文件：96.33 Kbytes 页数：3 Pages | SAVANTIC | SAVANTIC | ||
isc Silicon PNP Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= -20V(Min) ·High Speed Switching ·Low Collector Saturation Voltage : VCE(sat)= -0.6V(Max)@IC= -10A APPLICATIONS ·Designed for low voltage switching applications. 文件：254.73 Kbytes 页数：2 Pages | ISC 无锡固电 | ISC | ||
Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-220C package ·High speed switching ·Low collector saturation voltage APPLICATIONS ·For low voltage switching applications 文件：96.33 Kbytes 页数：3 Pages | SAVANTIC | SAVANTIC | ||
Silicon PNP epitaxial planer type(For low-frequency power amplification) ■ Features ● Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat). ● Large collector current IC. 文件：37.37 Kbytes 页数：2 Pages | PANASONIC 松下 | PANASONIC | ||
LOW PREQUENCY POWER AMPLIFIER COMPLEMENTARY PAIR WITH 2SD1177 SILICON PNP EPITAXIAL LOW FREQUENCY POWER AMPLIFIER COMPLEMENTARY PAIR WITH 2SD1177 文件：348.9 Kbytes 页数：2 Pages | HITACHIHitachi Semiconductor 日立日立公司 | HITACHI | ||
Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= -60V(Min) DESCRIPTION • Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= -60V(Min) • Low Collector Saturation Voltage : VCE(sat)= -1.0V(Max)@IC= -1.5A • Complement to Type 2SD1177 APPLICATIONS • Designed for low frequency power amplifier applications. 文件：111.54 Kbytes 页数：2 Pages | ISC 无锡固电 | ISC |
晶体管资料
- 型号：
- 别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
- 生产厂家：
- 制作材料：
Si-PNP
- 性质：
直流 （DC）_直流 （DC）_变频放大 （Conv）
- 封装形式：
直插封装
- 极限工作电压：
30V
- 最大电流允许值：
5A
- 最大工作频率：
120MHZ
- 引脚数：
3
- 可代换的型号：
2SB1288,2SB1306,
- 最大耗散功率：
1W
- 放大倍数：
- 图片代号：
A-20
- vtest：
30
- htest：
120000000
- atest：
5
- wtest：
1
详细参数
- 型号：
2SB87
- 制造商：
PANASONIC
- 制造商全称：
Panasonic Semiconductor
- 功能描述：
Silicon PNP epitaxial planer type(For low-frequency power amplification)
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
PANASONIC |
24+ |
TO-92L |
10000 |
询价 | |||
PANASONIC/松下 |
23+ |
TO-92L |
173376 |
原厂授权代理,海外优势订货渠道。可提供大量库存,详 |
询价 | ||
MAT |
16+ |
TO-126 |
100000 |
全新原装现货 |
询价 | ||
长电 |
25+ |
SOT-89 |
8000 |
现货 |
询价 | ||
CJ/长电 |
23+ |
SOT-89 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
HITACHI/日立 |
TO-126 |
22+ |
6000 |
十年配单,只做原装 |
询价 | ||
CJ/长电 |
22+ |
SOT-89 |
30000 |
十七年VIP会员,诚信经营，一手货源，原装正品可零售！ |
询价 | ||
22+ |
TO126 |
100000 |
代理渠道/只做原装/可含税 |
询价 | |||
23+ |
TO126 |
24800 |
正品原装货价格低 |
询价 | |||
HITACHI |
25+ |
TO-126 |
12300 |
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证 |
询价 |
