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2SB906	文件：150.53 Kbytes Page：3 Pages	TRANSISTOR (AUDIO FREQUENCY POWER AMPLIFIER APPLICATIONS) AudioFrequencyPowerAmplifierApplication •Lowcollectorsaturationvoltage:VCE(sat)=−1.0V(typ.)(IC=−3A,IB=−0.3A) •Highpowerdissipation:PC=20W(Tc=25°C) •Complementaryto2SD1221	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
2SB906	文件：39.41 Kbytes Page：1 Pages	Silicon PNP Epitaxial ■Features ●Lowcollectorsaturationvoltage ●Highpowerdissipation:PC=20W(Tc=25°C) ●Complementaryto2SD1221	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
2SB906	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	Bipolar Small-Signal Transistors MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
2SB906	文件：298.85 Kbytes Page：2 Pages	Silicon PNP Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-EmitterBreakdownVoltage- :V(BR)CEO=-60V(Min) ·DCCurrentGain- :hFE=60(Min)@IC=-0.5A ·Fastswitchingspeed ·Largecurrentcapacity APPLICATIONS ·Poweramplifierapplications ·Driverstageamplifierapplications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
2SB906	文件：279.8 Kbytes Page：2 Pages	Silicon PNP Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-EmitterBreakdownVoltage- :V(BR)CEO=-60V(Min) ·DCCurrentGain- :hFE=60(Min)@IC=-0.5A ·Fastswitchingspeed ·Largecurrentcapacity APPLICATIONS ·Poweramplifierapplications ·Driverstageamplifierapplications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
2SB906	文件：164.49 Kbytes Page：4 Pages	Audio Frequency Power Amplifier Application	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
2SB906	文件：160.7 Kbytes Page：4 Pages	Audio Frequency Power Amplifier Application	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
2SB906-251	文件：298.85 Kbytes Page：2 Pages	Silicon PNP Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-EmitterBreakdownVoltage- :V(BR)CEO=-60V(Min) ·DCCurrentGain- :hFE=60(Min)@IC=-0.5A ·Fastswitchingspeed ·Largecurrentcapacity APPLICATIONS ·Poweramplifierapplications ·Driverstageamplifierapplications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
2SB906-252	文件：279.8 Kbytes Page：2 Pages	Silicon PNP Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-EmitterBreakdownVoltage- :V(BR)CEO=-60V(Min) ·DCCurrentGain- :hFE=60(Min)@IC=-0.5A ·Fastswitchingspeed ·Largecurrentcapacity APPLICATIONS ·Poweramplifierapplications ·Driverstageamplifierapplications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
2SB906_07	文件：160.7 Kbytes Page：4 Pages	Audio Frequency Power Amplifier Application	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA

详细参数

型号：
2SB906
制造商：
Distributed By MCM
功能描述：
SUB ONLY TOSHIBA TRANSISTORSC-64 -60V -3A 20W BCE

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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