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2SB908	文件：173.52 Kbytes Page：4 Pages	TRANSISTOR (SWITCHING, HAMMER DRIVE, PULSE MOTOR DRIVE, POWER AMPLIFIER APPLICATIONS) Switching Applications Hammer Drive, Pulse Motor Drive Applications Power Amplifier Applications • High DC current gain: hFE (1) = 2000 (min) (VCE = −2 V, IC = −1 A) • Low saturation voltage: VCE (sat) = −1.5 V (max) (IC = −3 A) • Complementary to 2SD1223 文件：173.52 Kbytes 页数：4 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SB908	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	Bipolar Small-Signal Transistors MOS GT30F126 30F126 30A/330V IGBT TO-220F Toshiba 30F126 GT30F126 Reference site : http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html Reference PDF (30F124, 30F125, 30F127, 30F128, 30F131) : http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf 文件：1.58274 Mbytes 页数：73 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SB908	文件：298.43 Kbytes Page：2 Pages	Silicon PNP Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= -80V(Min) ·DC Current Gain- : hFE= 2000(Min)@ IC= -1A ·Complementary to 2SD1223 APPLICATIONS ·Power amplifier applications ·Driver stage amplifier applications 文件：298.43 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SB908	文件：279.47 Kbytes Page：2 Pages	Silicon PNP Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= -80V(Min) ·DC Current Gain- : hFE= 2000(Min)@ IC= -1A ·Complementary to 2SD1223 APPLICATIONS ·Power amplifier applications ·Driver stage amplifier applications 文件：279.47 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SB908	文件：167.3 Kbytes Page：5 Pages	Switching Applications Hammer Drive, Pulse Motor Drive Applications Power Amplifier Applications 文件：167.3 Kbytes 页数：5 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SB908	文件：171.84 Kbytes Page：5 Pages	Switching Applications Hammer Drive, Pulse Motor Drive Applications Power Amplifier Applications 文件：171.84 Kbytes 页数：5 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SB908	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power transistor for low frequency applications Feature：Darlington / Built-in damper diode\nApplication Scope：Switching / Power amplifier\nPolarity：PNP\nComplementary Product：2SD1223\nRoHS Compatible Product(s) (#)：Available Collector Current IC -4 A \nCollector power dissipation PC 15 W \nCollector power dissipation PC 1 W \nCollector-emitter voltage VCEO -80 V ;	Toshiba 东芝	Toshiba
2SB908-251	文件：298.43 Kbytes Page：2 Pages	Silicon PNP Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= -80V(Min) ·DC Current Gain- : hFE= 2000(Min)@ IC= -1A ·Complementary to 2SD1223 APPLICATIONS ·Power amplifier applications ·Driver stage amplifier applications 文件：298.43 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SB908-252	文件：279.47 Kbytes Page：2 Pages	Silicon PNP Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= -80V(Min) ·DC Current Gain- : hFE= 2000(Min)@ IC= -1A ·Complementary to 2SD1223 APPLICATIONS ·Power amplifier applications ·Driver stage amplifier applications 文件：279.47 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SB908_07	文件：167.3 Kbytes Page：5 Pages	Switching Applications Hammer Drive, Pulse Motor Drive Applications Power Amplifier Applications 文件：167.3 Kbytes 页数：5 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA

晶体管资料

型号：
2SB908
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-P+Darl+Di
性质：
低频或音频放大（LF）_开关管（S）_功率放大（L
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
100V
最大电流允许值：
4A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
2SB942A,2SB1072,BD902,BDW24C,BDW54C,
最大耗散功率：
15W
放大倍数：
β=5000
图片代号：
A-80
vtest：
100
htest：
999900
atest：
4
wtest：
15

技术参数

Product Category：
Power transistor for low frequency applications
Package name(Toshiba)：
PW-Mold

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多2SB908供应商更新时间2026-1-28 14:14:00

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