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2SB874

LOW PREQUENCY POWER AMPLIFIER COMPLEMENTARY PAIR WITH 2SD1177

SILICON PNP EPITAXIAL LOW FREQUENCY POWER AMPLIFIER COMPLEMENTARY PAIR WITH 2SD1177

文件:348.9 Kbytes 页数:2 Pages

HitachiHitachi Semiconductor

日立日立公司

2SB874

Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= -60V(Min)

DESCRIPTION • Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= -60V(Min) • Low Collector Saturation Voltage : VCE(sat)= -1.0V(Max)@IC= -1.5A • Complement to Type 2SD1177 APPLICATIONS • Designed for low frequency power amplifier applications.

文件:111.54 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

2SB874

Silicon PNP Power Transistor

DESCRIPTION • Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= -60V(Min) • Low Collector Saturation Voltage : VCE(sat)= -1.0V(Max)@IC= -1.5A • Complement to Type 2SD1177 APPLICATIONS • Designed for low frequency power amplifier applications.

文件:72.69 Kbytes 页数:2 Pages

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体公司

2SB874

Silicon PNP Epitaxial

HITACHI

日立

晶体管资料

  • 型号:

    2SB874

  • 别名:

    三极管、晶体管、晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    Si-PNP

  • 性质:

    低频或音频放大 (LF)_开关管 (S)_功率放大 (L

  • 封装形式:

    直插封装

  • 极限工作电压:

    100V

  • 最大电流允许值:

    2A

  • 最大工作频率:

    250MHZ

  • 引脚数:

    3

  • 可代换的型号:

    BD380,BD792,MJE253,MJE254,2SA10221,2SA1111,

  • 最大耗散功率:

    20W

  • 放大倍数:

  • 图片代号:

    B-21

  • vtest:

    100

  • htest:

    250000000

  • atest:

    2

  • wtest:

    20

详细参数

  • 型号:

    2SB874

  • 制造商:

    HITACHI

  • 制造商全称:

    Hitachi Semiconductor

  • 功能描述:

    LOW PREQUENCY POWER AMPLIFIER COMPLEMENTARY PAIR WITH 2SD1177

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
CJ/长电
25+
SOT-89
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明嘉莱只做原装正品现货
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SOT-89
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