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2SB851	文件：114.35 Kbytes Page：3 Pages	Epitaxial Planar PNP Silicon Translstors Medium Power Amp. Epitaxial Planar Silicon Transistor Features 1) Compact FTR package delivering high power: Pc=750mW 2) Hihg breakdown voltage: VCEO=-80V 文件：114.35 Kbytes 页数：3 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
2SB852K	文件：73.84 Kbytes Page：4 Pages	丝印：UB；Package：SOT-346；High-gain Amplifier Transistor (-32V, -0.3A) Features 1) Darlington connection for high DC current gain. 2) Built-in 4kΩ resistor between base and emitter. 3) Complements the 2SD1383K / 2SD1645S. 文件：73.84 Kbytes 页数：4 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
2SB855	文件：69.8 Kbytes Page：2 Pages	Silicon PNP Power Transistor DESCRIPTION • Collector Current: IC= -2A • Low Collector Saturation Voltage : VCE(sat)= -1.2V(Max)@IC= -2A • High Collector Power Dissipation APPLICATIONS • Designed for low frequency power amplifier applications. 文件：69.8 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2SB855	文件：100.89 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION • With TO-220C package • Low collector saturation voltage APPLICATIONS • Low frequency power amplifier 文件：100.89 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2SB855	文件：253.2 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon PNP Power Transistor DESCRIPTION • Collector Current: IC= -2A • Low Collector Saturation Voltage : VCE(sat)= -1.2V(Max)@IC= -2A • High Collector Power Dissipation APPLICATIONS • Designed for low frequency power amplifier applications. 文件：253.2 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SB856	文件：253.21 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon PNP Power Transistor DESCRIPTION • Collector Current: IC= -3A • Low Collector Saturation Voltage : VCE(sat)= -1.2V(Max)@IC= -2A • High Collector Power Dissipation APPLICATIONS • Designed for low frequency power amplifier applications. 文件：253.21 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SB856	文件：323.19 Kbytes Page：2 Pages	LOW FREQUENCY POWER AMPLIFIER SILICON PNP TRIPLE DIFFUSED LOW FREQUENCY POWER AMPLIFIER 文件：323.19 Kbytes 页数：2 Pages	HITACHIHitachi Semiconductor 日立日立公司	HITACHI
2SB856	文件：101.14 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION • With TO-220C package • Low collector saturation voltage APPLICATIONS • Low frequency power amplifier 文件：101.14 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2SB856	文件：69.88 Kbytes Page：2 Pages	Silicon PNP Power Transistor DESCRIPTION • Collector Current: IC= -3A • Low Collector Saturation Voltage : VCE(sat)= -1.2V(Max)@IC= -2A • High Collector Power Dissipation APPLICATIONS • Designed for low frequency power amplifier applications. 文件：69.88 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2SB857	文件：71.64 Kbytes Page：2 Pages	Silicon PNP Power Transistor DESCRIPTION • Collector Current: lc= -4A • Low Collector Saturation Voltage :VCE(sat) = -1.0V(Max)@lc = -2A • High Collector Power Dissipation • Complement to Type 2SD1133 APPLICATIONS • Designed for low frequency power amplifier applications. 文件：71.64 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI

晶体管资料

型号：
2SB857
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-PNP
性质：
低频或音频放大（LF）_开关管（S）_功率放大（L
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
70V
最大电流允许值：
4A
最大工作频率：
15MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BD244A,BD244B,BD536,BD600,BD950,TIP42B,2SB690,3CD50C,
最大耗散功率：
40W
放大倍数：
图片代号：
B-10
vtest：
70
htest：
15000000
atest：
4
wtest：
40

技术参数

PCM(W)：
2
IC(A)：
4
VCBO(V)：
70
VCEO(V)：
50
VEBO(V)：
5
hFEMin：
60
hFEMax：
320
hFE@VCE(V)：
4
hFE@IC(A)：
1
VCE(sat)(V)：
1
VCE(sat)\u001E@IC(A)：
2
VCE(sat)\u001E@IB(A)：
0.2
Package：
TO-220-3L

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
中天科工半导体（深圳）有限公司	2SB857	HITACHI/日立	25+	TO-220	45000	HITACHI/日立全新现货2SB857即刻询购立享优惠#长期有排单订	询价
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