2SB852K分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
2SB852K |
| 参数属性 | 2SB852K 封装/外壳为TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS PNP DARL 32V 0.3A SMT3 |
| 功能描述 | High-gain Amplifier Transistor (-32V, -0.3A) |
| 丝印标识 | |
| 封装外壳 | SOT-346 / TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 文件大小 |
73.84 Kbytes |
| 页面数量 |
4 页 |
| 生产厂商 | Rohm |
| 企业简称 |
ROHM【罗姆】 |
| 中文名称 | 罗姆半导体集团官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-6-28 23:00:00 |
| 人工找货 | 2SB852K价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
2SB852K规格书详情
Features
1) Darlington connection for high DC current gain.
2) Built-in 4kΩ resistor between base and emitter.
3) Complements the 2SD1383K / 2SD1645S.
产品属性
- 产品编号：
2SB852KT146B
- 制造商：
Rohm Semiconductor
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 晶体管类型：
PNP - 达林顿
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
1.5V @ 400µA，200mA
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
1µA（ICBO）
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
5000 @ 100mA，5V
- 频率 - 跃迁：
200MHz
- 工作温度：
150°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供应商器件封装：
SMT3
- 描述：
TRANS PNP DARL 32V 0.3A SMT3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ROHM/罗姆 |
24+ |
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