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2SB855 | isc Silicon PNP Power Transistor DESCRIPTION • Collector Current: IC= -2A • Low Collector Saturation Voltage : VCE(sat)= -1.2V(Max)@IC= -2A • High Collector Power Dissipation APPLICATIONS • Designed for low frequency power amplifier applications. 文件：253.2 Kbytes 页数：2 Pages | ISC 无锡固电 | ISC | |
2SB855 | Silicon PNP Power Transistor DESCRIPTION • Collector Current: IC= -2A • Low Collector Saturation Voltage : VCE(sat)= -1.2V(Max)@IC= -2A • High Collector Power Dissipation APPLICATIONS • Designed for low frequency power amplifier applications. 文件：69.8 Kbytes 页数：2 Pages | NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司 | NJSEMI | |
2SB855 | Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION • With TO-220C package • Low collector saturation voltage APPLICATIONS • Low frequency power amplifier 文件：100.89 Kbytes 页数：3 Pages | SAVANTIC | SAVANTIC | |
2SB855 | Silicon PNP Power Transistors 文件：102.51 Kbytes 页数：3 Pages | SAVANTIC | SAVANTIC |
晶体管资料
- 型号：
- 别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
- 生产厂家：
- 制作材料：
Si-PNP
- 性质：
低频或音频放大 （LF）_开关管 （S）_功率放大 （L
- 封装形式：
直插封装
- 极限工作电压：
50V
- 最大电流允许值：
2A
- 最大工作频率：
35MHZ
- 引脚数：
3
- 可代换的型号：
BD240A,BD242A,BD578,TIP32A,2SA748,2SA1288,3CD020B,
- 最大耗散功率：
20W
- 放大倍数：
- 图片代号：
B-10
- vtest：
50
- htest：
35000000
- atest：
2
- wtest：
20
详细参数
- 型号：
2SB855
- 制造商：
Distributed By MCM
- 功能描述：
SUB ONLY HITACHI TRANSISTORTO-220AB -50V -2A 20W BCE
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
24+ |
TO-220 |
10000 |
全新 |
询价 | |||
HIT |
16+ |
TO-220 |
100000 |
全新原装现货 |
询价 | ||
UTG |
24+ |
89-223-252 |
5000 |
只做原装公司现货 |
询价 | ||
TOSHIBA/东芝 |
22+ |
TO-220 |
6000 |
十年配单,只做原装 |
询价 | ||
HITACHI |
25+ |
TO-TO-220 |
12300 |
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证 |
询价 | ||
TOSHIBA |
24+ |
SOT-89 |
65200 |
一级代理/放心采购 |
询价 | ||
恩XP |
23+ |
TO-220 |
8321 |
专注配单,只做原装进口现货 |
询价 | ||
恩XP |
23+ |
TO-220 |
7000 |
询价 | |||
日立 |
20+ |
TO-220 |
38900 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
询价 | ||
HITACHI/日立 |
23+ |
TO-220 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 |
