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2SB612

SiliconPNPPowerTransistors

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司

2SB612

ComplementtoType2SD582

DESCRIPTION ·Collector-EmitterBreakdownVoltage-:V(BR)CEO=-140V(Min) ·HighPowerDissipation-:PC=100W(Max)@TC=25℃ ·ComplementtoType2SD582 APPLICATIONS ·Recommendedfor80~100Waudioamplifieroutputstage.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

2SB624-T1B-A

RENESAS
SOT23

RENESASRenesas Technology Corp

瑞萨瑞萨科技有限公司

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2SB649AL-C-T60-K

UTC
TO-126

UTCUnisonic Technologies

友顺友顺科技股份有限公司

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2SB798-T1-AZ

RENESAS
SOT89

RENESASRenesas Technology Corp

瑞萨瑞萨科技有限公司

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