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2SB631K	文件：94.99 Kbytes Page：4 Pages	Power Amplifier Applications 100V/120V, 1A Low-Frequency Power Amplifier Applications Features · High breakdown voltage VCEO 100/120V, High current 1A. · Low saturation voltage, excellent hFE linearity. 文件：94.99 Kbytes 页数：4 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2SB631K	文件：106.11 Kbytes Page：3 Pages	100V/120V, 1A Low-Frequency Power Amp Applications 1. High breakdown voltage V CEO 100/120V, High current 1A. 2. Low saturation voltage, excellent hFElinearity. 文件：106.11 Kbytes 页数：3 Pages	SANYO 三洋	SANYO
2SB631K	文件：126.37 Kbytes Page：4 Pages	100V/120V, 1A Low-Frequency Power Amplifier Applications 文件：126.37 Kbytes 页数：4 Pages	SANYO 三洋	SANYO
2SB631K	文件：191.6 Kbytes Page：4 Pages	2SB631K 文件：191.6 Kbytes 页数：4 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SB631K	文件：225.75 Kbytes Page：4 Pages	Silicon PNP Power Transistors 文件：225.75 Kbytes 页数：4 Pages	JMNIC 锦美电子	JMNIC
2SB631K	文件：133.13 Kbytes Page：2 Pages	Silicon PNP Power Transistor 文件：133.13 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2SB631K	文件：159.76 Kbytes Page：4 Pages	Silicon PNP Power Transistors 文件：159.76 Kbytes 页数：4 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2SB631K	文件：161.43 Kbytes Page：4 Pages	Silicon PNP Power Transistors 文件：161.43 Kbytes 页数：4 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2SB631K	文件：1.10751 Mbytes Page：6 Pages	Silicon PNP transistor in a TO-126F Plastic Package. 文件：1.10751 Mbytes 页数：6 Pages	FOSHAN 蓝箭电子	FOSHAN
2SB631K	文件：300 bytes Page：1 Pages	PNP Epitaxial Planar Silicon Transistor 100V/120V, 1A Low-Frequency Power Amplifier Applications	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

晶体管资料

型号：
2SB631K
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-PNP
性质：
低频或音频放大（LF）_开关管（S）_功率放大（L
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
120V
最大电流允许值：
1A
最大工作频率：
110MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
2SA1178,2SA1184,2SA1220(A),2SA1358,
最大耗散功率：
8W
放大倍数：
图片代号：
B-21
vtest：
120
htest：
110000000
atest：
1
wtest：
8

详细参数

型号：
2SB631K
制造商：
ISC
制造商全称：
Inchange Semiconductor Company Limited
功能描述：
Silicon PNP Power Transistors

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