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2SB613	文件：154.35 Kbytes Page：3 Pages	isc Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION •Collector-EmitterBreakdownVoltage-:V(BR)CEO=-250V(Min) •HighPowerDissipation-:PC=150W(Max)@TC=25℃ •HighCurrentCapability •ComplementtoType2SD583 APPLICATIONS •Designedforhighpoweramplifierandswitchingapplications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
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2SB613

文件：154.35 Kbytes

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isc Silicon PNP Power Transistors

DESCRIPTION •Collector-EmitterBreakdownVoltage-:V(BR)CEO=-250V(Min) •HighPowerDissipation-:PC=150W(Max)@TC=25℃ •HighCurrentCapability •ComplementtoType2SD583 APPLICATIONS •Designedforhighpoweramplifierandswitchingapplications

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

2SB613

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Silicon PNP Power Transistors

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司

NJSEMI

详细参数

型号：
2SB613
制造商：
ISC
制造商全称：
Inchange Semiconductor Company Limited
功能描述：
isc Silicon PNP Power Transistors

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多2SB613供应商更新时间2025-7-24 14:34:00

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