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2SB613	文件：154.35 Kbytes Page：3 Pages	isc Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION • Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= -250V(Min) • High Power Dissipation- : PC= 150W(Max)@TC=25℃ • High Current Capability • Complement to Type 2SD583 APPLICATIONS • Designed for high power amplifier and switching applications 文件：154.35 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SB613	文件：123.86 Kbytes Page：2 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION • Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= -250V(Min) • High Power Dissipation- : PC= 150W(Max)@TC=25℃ • High Current Capability • Complement to Type 2SD583 APPLICATIONS • Designed for high power amplifier and switching applications 文件：123.86 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2SB624-T1B-A	文件：0 bytes Page：0 Pages	SOT23	RENESAS 瑞萨上传：深圳市正纳电子有限公司	RENESAS
2SB649AG-C	文件：0 bytes Page：0 Pages	SOT-89	UTC/友顺上传：深圳广友电子有限公司	UTC/友顺
2SB649AL-C	文件：0 bytes Page：0 Pages	TO-92NL	UTC/友顺上传：深圳广友电子有限公司	UTC/友顺

晶体管资料

型号：
2SB613
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-PNP
性质：
开关管（S）_功率放大（L）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
250V
最大电流允许值：
15A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
2
可代换的型号：
BUW42,MJ15023,MJ15025,2SB600,2SB645,3CD150H,
最大耗散功率：
150W
放大倍数：
图片代号：
E-44
vtest：
250
htest：
999900
atest：
15
wtest：
150

详细参数

型号：
2SB613
制造商：
ISC
制造商全称：
Inchange Semiconductor Company Limited
功能描述：
isc Silicon PNP Power Transistors

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