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2SB613	文件：154.35 Kbytes Page：3 Pages	isc Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION • Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= -250V(Min) • High Power Dissipation- : PC= 150W(Max)@TC=25℃ • High Current Capability • Complement to Type 2SD583 APPLICATIONS • Designed for high power amplifier and switching applications 文件：154.35 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SB613	文件：123.86 Kbytes Page：2 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION • Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= -250V(Min) • High Power Dissipation- : PC= 150W(Max)@TC=25℃ • High Current Capability • Complement to Type 2SD583 APPLICATIONS • Designed for high power amplifier and switching applications 文件：123.86 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2SB624-T1B-A	文件：0 bytes Page：0 Pages	SOT23	RENESAS 瑞萨上传：深圳市正纳电子有限公司	RENESAS
2SB649AG-C	文件：0 bytes Page：0 Pages	SOT-89	UTC/友顺上传：深圳广友电子有限公司	UTC/友顺
2SB649AL-C	文件：0 bytes Page：0 Pages	TO-92NL	UTC/友顺上传：深圳广友电子有限公司	UTC/友顺

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