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2SB677 | isc Silicon PNP Darlington Power Transistor DESCRIPTION ·High DC Current Gain- : hFE = 2000(Min)@ IC= -1A ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO = -40V(Min) ·Low Collector-Emitter Saturation Voltage- : VCE(sat) = -1.5V(Max)@ IC= -2A APPLICATIONS ·Switching applications. ·Hammer drive, pulse mo 文件：245.66 Kbytes 页数：2 Pages | ISC 无锡固电 | ISC | |
2SB677 | Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-220C package ·DARLINGTON ·High DC current gain ·Low collector saturation voltage APPLICATIONS ·High power switching applications ·Power amplifier applications 文件：100.94 Kbytes 页数：3 Pages | SAVANTIC | SAVANTIC | |
2SB677 | Silicon PNP Power Transistors 文件：102.51 Kbytes 页数：3 Pages | SAVANTIC | SAVANTIC | |
2SB677 | Silicon PNP Darlington Power Transistor 文件：123.71 Kbytes 页数：2 Pages | NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司 | NJSEMI |
晶体管资料
- 型号：
- 别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
- 生产厂家：
- 制作材料：
Si-P+Darl+Di
- 性质：
低频或音频放大 （LF）_开关管 （S）_功率放大 （L
- 封装形式：
直插封装
- 极限工作电压：
60V
- 最大电流允许值：
4A
- 最大工作频率：
<1MHZ或未知
- 引脚数：
3
- 可代换的型号：
BD264,BD646,BD698,BD898,BDW24A,BDW54A,BDW64A,FC50B,
- 最大耗散功率：
30W
- 放大倍数：
β>2000
- 图片代号：
B-89
- vtest：
60
- htest：
999900
- atest：
4
- wtest：
30
详细参数
- 型号：
2SB677
- 制造商：
ISC
- 制造商全称：
Inchange Semiconductor Company Limited
- 功能描述：
isc Silicon PNP Darlington Power Transistor
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
TOSHIBA/东芝 |
25+ |
TO-220 |
45000 |
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TOSHIBA |
24+ |
TO-220 |
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TOS |
16+ |
TO-220 |
100000 |
全新原装现货 |
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TOSHIBA |
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TO-220 |
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原装现货/欢迎来电咨询 |
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