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2SB740	文件：30.3 Kbytes Page：6 Pages	Silicon PNP Epitaxial Application •Lowfrequencypoweramplifier •Complementarypairwith2SD789	HitachiHitachi, Ltd. 日立公司	Hitachi
2SB740	文件：73.75 Kbytes Page：1 Pages	Plastic-Encapsulated Transistors FEATURE Powerdissipation PCM:0.9W(Tamb=25℃) Collectorcurrent ICM:-1A Collector-basevoltage V(BR)CBO:-70V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55℃to+150℃	TEL TRANSYS Electronics Limited	TEL
2SB743	文件：139.47 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION •WithTO-126package •Lowcollectorsaturationvoltage •ExcellenthFElinearity APPLICATIONS •Foraudiofrequencypoweramplifierandgeneralpurposeapplications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
2SB744	文件：332.32 Kbytes Page：2 Pages	PNP Silicon Power Transistor PNPSiliconPowerTransistor Features •Capableof10WattsofPowerDissipation. •Collector-current3.0A •Collector-baseVoltage70V •Operatingandstoragejunctiontemperaturerange:-55°Cto+150°C •CaseMaterial:MoldedPlastic.ULFlammability ClassificationRating94V-0 •M	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体公司	MCC
2SB744	文件：195.27 Kbytes Page：4 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION· •WithTO-126package •Complementtotype2SD794/794A •ExcellenthFElinearity APPLICATIONS •Foraudiofrequencypoweramplifier andgeneralpurposeapplications	JMNICQuanzhou Jinmei Electronic Co.,Ltd. 泉州锦美泉州锦美电子有限公司	JMNIC
2SB744	文件：247.95 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon PNP Power Transistor DESCRIPTION •HighCollectorCurrent-IC=-3A •Collector-EmitterBreakdownVoltage- :V(BR)CEO=-45V(Min) •ComplementtoType2SD794 APPLICATIONS •Designedforuseinaudiofrequencyamplifier.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
2SB744	文件：71 Kbytes Page：2 Pages	Silicon PNP Power Transistor DESCRIPTION •HighCollectorCurrent-IC=-3A •Collector-EmitterBreakdownVoltage- :V(BR)CEO=-45V(Min) •ComplementtoType2SD794 APPLICATIONS •Designedforuseinaudiofrequencyamplifier.	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
2SB744A	文件：195.27 Kbytes Page：4 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION· •WithTO-126package •Complementtotype2SD794/794A •ExcellenthFElinearity APPLICATIONS •Foraudiofrequencypoweramplifier andgeneralpurposeapplications	JMNICQuanzhou Jinmei Electronic Co.,Ltd. 泉州锦美泉州锦美电子有限公司	JMNIC
2SB745	文件：50.95 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP epitaxial planer type(For low-frequency and low-noise amplification) Forlow-frequencyandlow-noiseamplification Complementaryto2SD661and2SD661A ■Features ●LownoisevoltageNV. ●HighfowardcurrenttransferratiohFE. ●Mtypepackageallowingeasyautomaticandmanualinsertionaswellasstand-alonefixingtotheprintedcircuitboar	PanasonicPanasonic Corporation 松下松下电器	Panasonic
2SB745A	文件：50.95 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP epitaxial planer type(For low-frequency and low-noise amplification) Forlow-frequencyandlow-noiseamplification Complementaryto2SD661and2SD661A ■Features ●LownoisevoltageNV. ●HighfowardcurrenttransferratiohFE. ●Mtypepackageallowingeasyautomaticandmanualinsertionaswellasstand-alonefixingtotheprintedcircuitboar	PanasonicPanasonic Corporation 松下松下电器	Panasonic
2SB747	文件：253.74 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon PNP Power Transistor DESCRIPTION •Collector-EmitterBreakdownVoltage-:V(BR)CEO=-80V(Min) •GoodLinearityofhFE •WideAreaofSafeOperation •ComplementtoType2SD812 APPLICATIONS •Highpoweramplifierapplications. •Suitablefor15~20Whomestereooutputamplifierandvoltageregulator.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
2SB747	文件：75.46 Kbytes Page：2 Pages	Silicon PNP Power Transistor DESCRIPTION •Collector-EmitterBreakdownVoltage-:V(BR)CEO=-80V(Min) •GoodLinearityofhFE •WideAreaofSafeOperation •ComplementtoType2SD812 APPLICATIONS •Highpoweramplifierapplications. •Suitablefor15~20Whomestereooutputamplifierandvoltageregulator.	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
2SB740	文件：165.97 Kbytes Page：6 Pages	Silicon PNP Epitaxial	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
2SB740	文件：3.238 Mbytes Page：3 Pages	TO-92MOD Plastic-Encapsulate Transistors	JIANGSU Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd	JIANGSU
2SB740	文件：140.21 Kbytes Page：1 Pages	TRANSISTOR (PNP)	WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD 永而佳实业深圳市永而佳实业有限公司	WINNERJOIN
2SB740BTZ-E	文件：165.97 Kbytes Page：6 Pages	Silicon PNP Epitaxial	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
2SB740CTZ-E	文件：165.97 Kbytes Page：6 Pages	Silicon PNP Epitaxial	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
2SB743	文件：100.33 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors	SAVANTIC Savantic, Inc.	SAVANTIC
2SB743	文件：101.9 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors	SAVANTIC Savantic, Inc.	SAVANTIC
2SB744	文件：133.71 Kbytes Page：4 Pages	Silicon PNP Power Transistors	SAVANTIC Savantic, Inc.	SAVANTIC

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晶体管资料

型号：
2SB740
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-PNP
性质：
低频或音频放大（LF）_输出极（E）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
70V
最大电流允许值：
1A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
BC490,BC528,2SA1013,2SAQ1315,2SB647,2SB1212,3CA1C,
最大耗散功率：
0.9W
放大倍数：
图片代号：
A-20
vtest：
70
htest：
999900
atest：
1
wtest：
.9

详细参数

型号：
2SB74
制造商：
TRSYS
制造商全称：
Transys Electronics
功能描述：
Plastic-Encapsulated Transistors

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多2SB74供应商更新时间2024-5-1 10:20:00

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