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isc Silicon PNP Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= -60V(Min) ·Good Linearity of hFE ·Wide Area of Safe Operation ·Complement to Type 2SD855 APPLICATIONS ·Medium power amplifier applications. 文件：251.61 Kbytes 页数：2 Pages | ISC 无锡固电 | ISC | ||
Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-220 package ·Low collector saturation voltage ·Complement to type 2SD855 APPLICATIONS ·For audio frequency and radio frequency power amplifier applications 文件：89.07 Kbytes 页数：3 Pages | SAVANTIC | SAVANTIC | ||
Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-220C package ·Complement to type 2SD856/856A ·Low collector saturation voltage APPLICATIONS ·For audio frequency power amplifier applications 文件：179.48 Kbytes 页数：3 Pages | JMNIC 锦美电子 | JMNIC | ||
Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-220C package ·Complement to type 2SD856/856A ·Low collector saturation voltage APPLICATIONS ·For audio frequency power amplifier applications 文件：139.19 Kbytes 页数：3 Pages | ISC 无锡固电 | ISC | ||
Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-220C package ·Complement to type 2SD856/856A ·Low collector saturation voltage APPLICATIONS ·For audio frequency power amplifier applications 文件：95.09 Kbytes 页数：3 Pages | SAVANTIC | SAVANTIC | ||
Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-220C package ·Complement to type 2SD856/856A ·Low collector saturation voltage APPLICATIONS ·For audio frequency power amplifier applications 文件：139.19 Kbytes 页数：3 Pages | ISC 无锡固电 | ISC | ||
Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-220C package ·Complement to type 2SD856/856A ·Low collector saturation voltage APPLICATIONS ·For audio frequency power amplifier applications 文件：179.48 Kbytes 页数：3 Pages | JMNIC 锦美电子 | JMNIC | ||
Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-220C package ·Complement to type 2SD856/856A ·Low collector saturation voltage APPLICATIONS ·For audio frequency power amplifier applications 文件：95.09 Kbytes 页数：3 Pages | SAVANTIC | SAVANTIC | ||
Silicon PNP Power Transistor DESCRIPTION • Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= -60V(Min) • Good Linearity of hFE • Wide Area of Safe Operation • Complement to Type 2SD857 APPLICATIONS • Designed for AF power amplifier applications. 文件：74.97 Kbytes 页数：2 Pages | NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司 | NJSEMI | ||
2SB762A DESCRIPTION • With TO-220C package • Complement to type 2SD857/857A • Low collector saturation voltage APPLICATIONS • For audio frequency power amplifier applications 文件：198.14 Kbytes 页数：3 Pages | JMNIC 锦美电子 | JMNIC |
晶体管资料
- 型号：
- 别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
- 生产厂家：
- 制作材料：
Si-P+Darl+Di
- 性质：
低频或音频放大 （LF）_开关管 （S）_功率放大 （L
- 封装形式：
直插封装
- 极限工作电压：
120V
- 最大电流允许值：
3A
- 最大工作频率：
<1MHZ或未知
- 引脚数：
3
- 可代换的型号：
BD652,BDT20,BDW54D,BDW64D,FC50C,
- 最大耗散功率：
30W
- 放大倍数：
β>1000
- 图片代号：
B-10
- vtest：
120
- htest：
999900
- atest：
3
- wtest：
30
详细参数
- 型号：
2SB76
- 制造商：
SAVANTIC
- 制造商全称：
Savantic, Inc.
- 功能描述：
Silicon PNP Power Transistors
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
HITACHI/日立 |
24+ |
TO 220 |
158404 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 | ||
24+ |
TO-220 |
10000 |
全新 |
询价 | |||
日立 |
24+ |
TO-220 |
6430 |
原装现货/欢迎来电咨询 |
询价 | ||
HITACHI/日立 |
22+ |
TO-220F |
6000 |
十年配单,只做原装 |
询价 | ||
TOSHIBA/东芝 |
23+ |
TO-220 |
67300 |
原厂授权代理,海外优势订货渠道。可提供大量库存,详 |
询价 | ||
HITACHI |
25+ |
TO-TO-220F |
12300 |
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询价 | ||
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PANASONIC |
1415+ |
SOT89 |
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19258 |
原装分销 |
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PANASONIC |
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