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2SB816	文件：105.86 Kbytes Page：4 Pages	For LF Power Amp,50W Output, Large Power Switching For LF Power Amplifier, 50W Output Large Power Switching Applications Features • Capable of being mounted easily because of onepoint fixing type plastic molded package (Interchangeable with TO-3). • Wide ASO because of built-in ballast resistance. • Goode dependence of fT on current and good H 文件：105.86 Kbytes 页数：4 Pages	SANYO 三洋	SANYO
2SB816	文件：214.1 Kbytes Page：4 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION • With TO-3PN package • Complement to type 2SD1046 • Wide area of safe operation APPLICATIONS • For LF Power Amplifier, 50W Output Large Power Switching Applications 文件：214.1 Kbytes 页数：4 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SB816	文件：246.87 Kbytes Page：4 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION • With TO-3PN package • Complement to type 2SD1046 • Wide area of safe operation APPLICATIONS • For LF Power Amplifier, 50W Output Large Power Switching Applications 文件：246.87 Kbytes 页数：4 Pages	JMNIC 锦美电子	JMNIC
2SB816	文件：82.63 Kbytes Page：2 Pages	Silicon PNP Power Transistor DESCRIPTION • Collector-Emitter Breakdown Voltage- :V(BR)CEO=-120V(Min) • Good Linearity of hFE • Wide Area of Safe Operation • Complement to Type 2SD1046 APPLICATIONS • Designed for LF power amplifier, SOW output large power switching applications. 文件：82.63 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2SB816	文件：194.99 Kbytes Page：4 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION • With TO-3PN package • Complement to type 2SD1046 • Wide area of safe operation APPLICATIONS • For LF Power Amplifier, 50W Output Large Power Switching Applications 文件：194.99 Kbytes 页数：4 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2SB816	文件：196.68 Kbytes Page：4 Pages	Silicon PNP Power Transistors 文件：196.68 Kbytes 页数：4 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2SB816	文件：246.87 Kbytes Page：4 Pages	Silicon PNP Power Transistors 文件：246.87 Kbytes 页数：4 Pages	JMNIC 锦美电子	JMNIC
2SB816	文件：300 bytes Page：1 Pages	Trans GP BJT PNP 120V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-3PB	NJS	NJS
2SB816	文件：300 bytes Page：1 Pages	PNP Epitaxial Planar Silicon Transistors For LF Power Amplifier, 50W Output Large Power Switching Applications	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2SB816_15	文件：246.87 Kbytes Page：4 Pages	Silicon PNP Power Transistors 文件：246.87 Kbytes 页数：4 Pages	JMNIC 锦美电子	JMNIC

技术参数

Maximum Transition Frequency：
15(Typ)MHz
Maximum Power Dissipation：
80000mW
Maximum Operating Temperature：
150°C
Maximum Emitter Base Voltage：
6V
Maximum DC Collector Current：
8A
Maximum Collector Emitter Voltage：
120V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage：
2@0.5A@5AV
Maximum Collector Base Voltage：
150V
Configuration：
Single
Category：
Bipolar Power

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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