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2SB812 | isc Silicon PNP Power Transistor DESCRIPTION • Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= -60V(Min) • High Power Dissipation • Complement to Type 2SD1032 APPLICATIONS • Designed for AF power amplifier applications 文件：248.67 Kbytes 页数：2 Pages | ISC 无锡固电 | ISC | |
2SB812 | Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION • With TO-3PN package • Wide area of safe operation • Low collector saturation voltage APPLICATIONS • For audio frequency output applications 文件：132.62 Kbytes 页数：3 Pages | SAVANTIC | SAVANTIC | |
2SB812 | ilicon PNP Power Transistors 文件：134.2 Kbytes 页数：3 Pages | SAVANTIC | SAVANTIC | |
Silicon transistor | NEC 瑞萨 | NEC |
晶体管资料
- 型号：
- 别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
- 生产厂家：
- 制作材料：
Si-PNP
- 性质：
低频或音频放大 （LF）_开关管 （S）_功率放大 （L
- 封装形式：
直插封装
- 极限工作电压：
60V
- 最大电流允许值：
4A
- 最大工作频率：
<1MHZ或未知
- 引脚数：
3
- 可代换的型号：
BD246A,BDV92,TIP34A,2SA1141,2SB775,2SB776,3CD50B,
- 最大耗散功率：
40W
- 放大倍数：
- 图片代号：
B-62
- vtest：
60
- htest：
999900
- atest：
4
- wtest：
40
详细参数
- 型号：
2SB812
- 制造商：
Distributed By MCM
- 功能描述：
SUB ONLY TRANSISTORTOP-3A-60V -4A 60W BCE
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
MATSUSHITA |
25+ |
TO-3P |
45000 |
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SOT-23 |
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