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2SB828	文件：98.82 Kbytes Page：3 Pages	50V/12A Switching Applications 50V/12A Switching Applications Features · Low-saturation collector-to-emitter voltage : VCE(sat)=–0.5V(PNP), 0.4V(NPN) max. · Wide ASO leading to high resistance to breakdown. Applications · Relay drivers, high-speed inverters, converters, and other general high-current switchin 文件：98.82 Kbytes 页数：3 Pages	SANYO 三洋	SANYO
2SB828	文件：252.61 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon PNP Power Transistor 文件：252.61 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SB828	文件：219.23 Kbytes Page：4 Pages	Silicon PNP Power Transistors 文件：219.23 Kbytes 页数：4 Pages	JMNIC 锦美电子	JMNIC
2SB828	文件：83.7 Kbytes Page：2 Pages	Silicon PNP Power Transistor 文件：83.7 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2SB828	文件：194.01 Kbytes Page：4 Pages	Silicon PNP Power Transistors 文件：194.01 Kbytes 页数：4 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2SB828	文件：195.69 Kbytes Page：4 Pages	Silicon PNP Power Transistors 文件：195.69 Kbytes 页数：4 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2SB828	文件：300 bytes Page：1 Pages	Trans GP BJT PNP 50V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-3PB	NJS	NJS
2SB828	文件：300 bytes Page：1 Pages	PNP Epitaxial Planar Silicon Tranasistors 50V/12A Switching Applications	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2SB828_15	文件：219.23 Kbytes Page：4 Pages	Silicon PNP Power Transistors 文件：219.23 Kbytes 页数：4 Pages	JMNIC 锦美电子	JMNIC
2SB828_2014	文件：219.23 Kbytes Page：4 Pages	Silicon PNP Power Transistors 文件：219.23 Kbytes 页数：4 Pages	JMNIC 锦美电子	JMNIC

技术参数

Maximum Transition Frequency：
10(Typ)MHz
Maximum Power Dissipation：
80000mW
Maximum Operating Temperature：
150°C
Maximum Emitter Base Voltage：
6V
Maximum DC Collector Current：
12A
Maximum Collector Emitter Voltage：
50V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage：
0.4@0.3A@3AV
Maximum Collector Base Voltage：
60V
Material：
Si
Configuration：
Single
Category：
Bipolar Power

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