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2SB1561	文件：300 bytes Page：1 Pages	Transistors > Medium Power Bipolar Transistors(0.5W-1.0W)	ROHM 罗姆	ROHM
2SB1561T100	文件：300 bytes Page：1 Pages	PNP Driver Transistor	ROHM 罗姆	ROHM
2SB1560	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-3P-3，SC-65-3；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP DARL 150V 10A TO3P	SANKEN 三垦	SANKEN
2SB1561T100Q	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-243AA；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP 60V 2A MPT3	ROHM 罗姆	ROHM
2SB1565FU6E	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-220-3 整包；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP 60V 3A TO220FN	ROHM 罗姆	ROHM

晶体管资料

型号：
2SB156(H)
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Ge-PNP
性质：
低频或音频放大（LF）_TR_输出极（E）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
16V
最大电流允许值：
0.3A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
AC128,AC153,AC188,2N1189,2N1190,2SB405,2SB475,3AX53A,
最大耗散功率：
0.15W
放大倍数：
图片代号：
C-78
vtest：
16
htest：
999900
atest：
0.3
wtest：
0.15

技术参数

IC：
-10A
PC：
100W
hFEmin：
5000
hFEmax：
30000
hFE条件VCE：
-4V
hFE条件IC：
-7A
VCE（sat）max：
-2.5V
配对：
2SD2390

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