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2SB1565	文件：56.64 Kbytes Page：2 Pages	Power Transistor (-60V, -3A) Epitaxial Planar NPN Silicon Transistor TAPED POWER TRANSISTOR PACKAGE FOR USE WITH AN AUTOMATIC PLACEMENT MACHINE) 文件：56.64 Kbytes 页数：2 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
2SB1565	文件：42.73 Kbytes Page：1 Pages	丝印：EF；Package：TO-220FN；Power Transistor(-60V, -3A) Epitaxial Planar NPN Silicon Transistor TAPED POWER TRANSISTOR PACKAGE FOR USE WITH AN AUTOMATIC PLACEMENT MACHINE) 文件：42.73 Kbytes 页数：1 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
2SB1565	文件：158.9 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION • With TO-220F package • Excellent DC current gain characteristics • Low collector saturation voltage • Wide area of safe operation • Complement to type 2SD2394 文件：158.9 Kbytes 页数：3 Pages	JMNIC 锦美电子	JMNIC
2SB1565	文件：208.84 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-220F package ·Excellent DC current gain characteristics ·Low collector saturation voltage ·Wide SOA (safe operating area) ·Complement to type 2SD2394 文件：208.84 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2SB1566	文件：159.25 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-220F package ·Excellent DC current gain characteristics ·Low collector saturation voltage ·Wide SOA (safe operating area) ·Complement to type 2SD2395 文件：159.25 Kbytes 页数：3 Pages	JMNIC 锦美电子	JMNIC
2SB1566	文件：208.51 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION • With TO-220F package • Excellent DC current gain characteristics • Low collector saturation voltage • Wide SOA (safe operating area) • Complement to type 2SD2395 文件：208.51 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2SB1566	文件：56.25 Kbytes Page：2 Pages	For Power Amplification (-60V, -3A) 2SB1566 Power Transistor(-50V, -3A) Features 1) Low saturation voltage, typically VCE(sat) = -0.3V at IC / IB = -2A / -0.2A 2) Wide SOA (safe operating area). 3) Complements the 2SD2395. 2SD2395 Power Transistor(50V, 3A) Features 1) Low saturation voltage, typically VCE(sat) = 0.2V at 文件：56.25 Kbytes 页数：2 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
2SB1566	文件：133.47 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-220F package ·Excellent DC current gain characteristics ·Low collector saturation voltage ·Wide SOA (safe operating area) ·Complement to type 2SD2395 文件：133.47 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SB1566	文件：91.07 Kbytes Page：1 Pages	丝印：C7；Package：TO-220FN；TAPED POWER TRANSISTOR PACKAGE FOR USE WITH AN AUTOMATIC PLACEMENT MACHINE Epitaxial Planar NPN Silicon Transistor TAPED POWER TRANSISTOR PACKAGE FOR USE WITH AN AUTOMATIC PLACEMENT MACHINE) 文件：91.07 Kbytes 页数：1 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
2SB1567	文件：237.14 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon PNP Darlington Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage-: V(BR)CEO= -100V(Min) ·High DC Current Gain-: hFE= 1000(Min)@ (VCE= -2V, IC= -1A) ·Complement to Type 2SD2398 APPLICATIONS ·Designed for high power switching applications. 文件：237.14 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC

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晶体管资料

型号：
2SB156(H)
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Ge-PNP
性质：
低频或音频放大（LF）_TR_输出极（E）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
16V
最大电流允许值：
0.3A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
AC128,AC153,AC188,2N1189,2N1190,2SB405,2SB475,3AX53A,
最大耗散功率：
0.15W
放大倍数：
图片代号：
C-78
vtest：
16
htest：
999900
atest：
0.3
wtest：
0.15

技术参数

IC：
-10A
PC：
100W
hFEmin：
5000
hFEmax：
30000
hFE条件VCE：
-4V
hFE条件IC：
-7A
VCE（sat）max：
-2.5V
配对：
2SD2390

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