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2SB1235_V01	文件：99.02 Kbytes Page：4 Pages	Driver Applications Features · AF amplifier, solenoid drivers, LED drivers. · Darlington connection. · High DC current gain. 文件：99.02 Kbytes 页数：4 Pages	SANYO 三洋	SANYO
2SB1236	文件：73.12 Kbytes Page：3 Pages	丝印：QR；Package：ATV；Power Transistor (-120V , -1.5A) Power Transistor (-120V, -1.5A) 2SB1236 / 2SB1186 Power Transistor (120V, 1.5A) 2SC4132 / 2SD1857 / 2SD2343 / 2SD1763 文件：73.12 Kbytes 页数：3 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
2SB1236	文件：43.82 Kbytes Page：1 Pages	丝印：QR；Package：ATV；Power Transistor Power Transistor (-120V, -1.5A) 2SB1236 / 2SB1186 Power Transistor (120V, 1.5A) 2SC4132 / 2SD1857 / 2SD2343 / 2SD1763 文件：43.82 Kbytes 页数：1 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
2SB1236A	文件：84.04 Kbytes Page：4 Pages	丝印：TV2；Package：ATV；Power Transistor (-160V , -1.5A) Features 1) High breakdown voltage.(BVCEO= -160V) 2) Low collector output capacitance. (Typ. 30pF at VCB = 10V) 3) High transition frequency.(fT = 50MHZ) 4) Complements the 2SD1918 / 2SD1857A. 文件：84.04 Kbytes 页数：4 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
2SB1236A	文件：48.13 Kbytes Page：1 Pages	POWER TRANSISTOR Epitaxial Planar NPN Silicon Transistor TAPED POWER TRANSISTOR PACKAGE FOR USE WITH AN AUTOMATIC PLACEMENT MACHINE) 文件：48.13 Kbytes 页数：1 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
2SB1237	文件：179.26 Kbytes Page：5 Pages	Medium Power Transistor (-32V,??1A) Medium Power Transistor (-32V, -1A) Features 1) Low VCE(sat). VCE(sat)= -0.2V(Typ.) (IC / IB = -500mA / -50mA) 2) Compliments 2SD1664 / 2SD1858 Structure Epitaxial planar type PNP silicon transistor 文件：179.26 Kbytes 页数：5 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
2SB1237	文件：128.6 Kbytes Page：4 Pages	丝印：B1237；Package：ATV；Medium Power Transistor Medium Power Transistor (-32V, -1A) Features 1) Low VCE(sat). VCE(sat)= -0.2V(Typ.) (IC / IB = -500mA / -50mA) 2) Compliments 2SD1664 / 2SD1858 Structure Epitaxial planar type PNP silicon transistor 文件：128.6 Kbytes 页数：4 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
2SB1238	文件：38.76 Kbytes Page：1 Pages	MEDIUM POWER TRANSISTOR(-80V, -0.7A) [ROHM] Features 1) High breakdown voltage, BVCEO= -80V, and high current, IC= -0.7A. 2) Complements the 2SB1767 / 2SB1859 / 2SB1200F. Features 1) High breakdown voltage, BVCEO=80V, and high current, IC=0.7A. 2) Complements the 2SB1189 / 2SB1238 / 2SB889F. 文件：38.76 Kbytes 页数：1 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
2SB1238	文件：69.82 Kbytes Page：3 Pages	丝印：TV2；Package：ATV；Medium power transistor (-80V, -0.7A) Features 1) High breakdown voltage, BVCEO= -80V, and high current, IC= -0.7A. 2) Complements the 2SB1767 / 2SB1859 / 2SB1200F. Features 1) High breakdown voltage, BVCEO=80V, and high current, IC=0.7A. 2) Complements the 2SB1189 / 2SB1238 / 2SB889F. 文件：69.82 Kbytes 页数：3 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
2SB1238	文件：42.27 Kbytes Page：1 Pages	MEDIUM POWER TRANSISTOR Features 1) High breakdown voltage, BVCEO= -80V, and high current, IC= -0.7A. 2) Complements the 2SB1767 / 2SB1859 / 2SB1200F. Features 1) High breakdown voltage, BVCEO=80V, and high current, IC=0.7A. 2) Complements the 2SB1189 / 2SB1238 / 2SB889F. 文件：42.27 Kbytes 页数：1 Pages	ROHM 罗姆	ROHM

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晶体管资料

型号：
2SB1216
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-PNP
性质：
开关管（S）_功率放大（L）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
120V
最大电流允许值：
4A
最大工作频率：
130MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
2SA1647,2SB930A,
最大耗散功率：
20W
放大倍数：
图片代号：
A-80
vtest：
120
htest：
130000000
atest：
4
wtest：
20

技术参数

Pb-free：
Pb
Status：
Active
Polarity：
PNP
Type：
Low VCE(sat)
VCE(sat) Max (V)：
0.5
IC Cont. (A)：
4
VCEO Min (V)：
100
VCBO (V)：
120
VEBO (V)：
6
VBE(sat) (V)：
0.9
hFE Min：
140
hFE Max：
280
fT Min (MHz)：
130
PTM Max (W)：
1
Package Type：
DPAK-3/TO-252-3

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市一线半导体有限公司	2SB1216	ROHM	24+		60000		询价
艾睿（深圳）半导体有限公司	2SB1216	SANYO/三洋	2447	TO-251	100500	一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货	询价
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更多2SB12供应商更新时间2026-10-28 16:30:00

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