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2SB1236A

丝印:TV2;Package:ATV;Power Transistor (-160V , -1.5A)

Features 1) High breakdown voltage.(BVCEO= -160V) 2) Low collector output capacitance. (Typ. 30pF at VCB = 10V) 3) High transition frequency.(fT = 50MHZ) 4) Complements the 2SD1918 / 2SD1857A.

文件:84.04 Kbytes 页数:4 Pages

ROHM

罗姆

2SB1236A

POWER TRANSISTOR

Epitaxial Planar NPN Silicon Transistor TAPED POWER TRANSISTOR PACKAGE FOR USE WITH AN AUTOMATIC PLACEMENT MACHINE)

文件:48.13 Kbytes 页数:1 Pages

ROHM

罗姆

2SB1236A

Power Transistor (-160V, -1.5A)

文件:175.18 Kbytes 页数:4 Pages

ROHM

罗姆

2SB1236A

Transistors > Medium Power Bipolar Transistors(0.5W-1.0W)

ROHM

罗姆

2SB1236ATV2P

Package:ATV;包装:剪切带(CT) 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS PNP 160V 1.5A ATV

ROHM

罗姆

2SB1236ATV2Q

Package:3-SIP;包装:剪切带(CT) 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS PNP 160V 1.5A ATV

ROHM

罗姆

详细参数

  • 型号:

    2SB1236A

  • 功能描述:

    两极晶体管 - BJT DVR PNP 160V 1.5A

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO:

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO:

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO:

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT:

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min:

    100 A

  • 安装风格:

    SMD/SMT

  • 封装/箱体:

    PowerFLAT 2 x 2

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更多2SB1236A供应商 更新时间2025-12-1 16:30:00