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2SB1121T-TD-E	文件：189.59 Kbytes Page：4 Pages	Bipolar Transistor -25V, -2A, Low VCE(sat) PNP Single PCP Features •AdoptionofFBET,MBITprocesses •LargecurrentcapacityandwideSOA •Lowcollectortoemittersaturationvoltage •Fastswitchingspeed •Ultrasmallsizemakingiteasytoprovidehigh-density,small-sizedhybridIC’s Applications •Voltageregulators,relaydrivers,lampdri	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
2SB1121T-TD-E	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-243AA；包装：散装类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP 25V 2A PCP	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
2SB1121	文件：189.59 Kbytes Page：4 Pages	BipolarTransistor-25V,-2A,LowVCE(sat)PNPSinglePCP Features •AdoptionofFBET,MBITprocesses •LargecurrentcapacityandwideSOA •Lowcollectortoemittersaturationvoltage •Fastswitchingspeed •Ultrasmallsizemakingiteasytoprovidehigh-density,small-sizedhybridIC’s Applications •Voltageregulators,relaydrivers,lampdri	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
2SB1121	文件：106.21 Kbytes Page：4 Pages	High-CurrentDriverApplications	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋电机株式会社	SANYO
2SB1121	文件：58.53 Kbytes Page：2 Pages	PNPEpitaxialPlanarSiliconTransistors ■Features ●Lowcollector-to-emittersaturationvoltage. ●LargecurrentcapacityandwideASO. ●Fastswitchingspeed. ●Complementaryto2SD1621	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
2SB1121	文件：95.99 Kbytes Page：3 Pages	High-CurrentDriverApplications? Features ¥AdoptionofFBET,MBITprocesses. ¥Lowcollector-to-emittersaturationvoltage. ¥LargecurrentcapacityandwideASO. ¥Fastswitchingspeed. ¥Ultrasmallsizemakingiteasytoprovidehigh-density,small-sizedhybridICÕs. Applications ¥Voltageregulators,relaydrivers,lam	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋电机株式会社	SANYO
2SB1121	文件：93.48 Kbytes Page：4 Pages	High-CurrentDriverApplications	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋电机株式会社	SANYO
2SB1121-R	文件：1.44488 Mbytes Page：3 Pages	PNPTransistors	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
2SB1121-S	文件：1.44488 Mbytes Page：3 Pages	PNPTransistors	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
2SB1121S-TD-E	文件：93.48 Kbytes Page：4 Pages	High-CurrentDriverApplications	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋电机株式会社	SANYO

产品属性

产品编号：
2SB1121T-TD-E
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
散装
晶体管类型：
PNP
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
600mV @ 75mA，1.5A
电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
100 @ 100mA，2V
频率 - 跃迁：
150MHz
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-243AA
供应商器件封装：
PCP
描述：
TRANS PNP 25V 2A PCP

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多2SB1121T供应商更新时间2025-7-23 17:23:00

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