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2SB1132T100P	文件：179.26 Kbytes Page：5 Pages	Medium Power Transistor (-32V,??1A) Medium Power Transistor (-32V, -1A) Features 1) Low VCE(sat). VCE(sat)= -0.2V(Typ.) (IC / IB = -500mA / -50mA) 2) Compliments 2SD1664 / 2SD1858 Structure Epitaxial planar type PNP silicon transistor 文件：179.26 Kbytes 页数：5 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
2SB1132T100P	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-243AA；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP 32V 1A MPT3	ROHM 罗姆	ROHM
2SB1188G-P	文件：0 bytes Page：0 Pages	SOT-89	UTC/友顺上传：深圳广友电子有限公司	UTC/友顺
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2SB1197KT146R	文件：0 bytes Page：0 Pages	SMT3	ROHM/罗姆上传：深圳广友电子有限公司	ROHM/罗姆

产品属性

产品编号：
2SB1132T100P
制造商：
Rohm Semiconductor
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）
晶体管类型：
PNP
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
500mV @ 50mA，500mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
500nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
82 @ 100mA，3V
频率 - 跃迁：
150MHz
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-243AA
供应商器件封装：
MPT3
描述：
TRANS PNP 32V 1A MPT3

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更多2SB1132T100P供应商更新时间2026-1-29 16:30:00

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