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2SA1732	文件：94.56 Kbytes Page：3 Pages	High-Speed Switching Applications High-Speed Switching Applications Features • Adoption of FBET processes. • Large current capacity. • Low collector-to-emitter saturation voltage. • Fast switching speed. 文件：94.56 Kbytes 页数：3 Pages	SANYO 三洋	SANYO
2SA1732	文件：302.96 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= -40V(Min) ·DC Current Gain- : hFE= 70(Min)@ IC= -0.5A ·Fast switching speed ·Large current capacity APPLICATIONS ·Power amplifier applications ·Driver stage amplifier applications 文件：302.96 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SA1732	文件：321.99 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= -40V(Min) ·DC Current Gain- : hFE= 70(Min)@ IC= -0.5A ·Fast switching speed ·Large current capacity APPLICATIONS ·Power amplifier applications ·Driver stage amplifier applications 文件：321.99 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SA1732	文件：300 bytes Page：1 Pages	PNP Epitaxial Planar Silicon Transistor High-Speed Switching Applications	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2SA1732-251	文件：321.99 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= -40V(Min) ·DC Current Gain- : hFE= 70(Min)@ IC= -0.5A ·Fast switching speed ·Large current capacity APPLICATIONS ·Power amplifier applications ·Driver stage amplifier applications 文件：321.99 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SA1732-252	文件：302.96 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= -40V(Min) ·DC Current Gain- : hFE= 70(Min)@ IC= -0.5A ·Fast switching speed ·Large current capacity APPLICATIONS ·Power amplifier applications ·Driver stage amplifier applications 文件：302.96 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC

晶体管资料

型号：
2SA1732
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-PNP
性质：
开关管（S）_功率放大（L）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
50V
最大电流允许值：
8A
最大工作频率：
250MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
2SB934,
最大耗散功率：
15W
放大倍数：
图片代号：
A-80
vtest：
50
htest：
250000000
atest：
8
wtest：
15

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