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2SA1740	文件：102.23 Kbytes Page：3 Pages	High-Voltage Driver Applications High-Voltage Driver Applications Features • High breakdown votlage. • Adoption of MBIT process. • Excellent hFE linearlity 文件：102.23 Kbytes 页数：3 Pages	SANYO 三洋	SANYO
2SA1740	文件：188.17 Kbytes Page：4 Pages	HIGH VOLTAGE DRIVER APPLICATION HIGH VOLTAGE DRIVER APPLICATION FEATURES * High breakdown voltage. * Excellent hFE linearity. 文件：188.17 Kbytes 页数：4 Pages	UTC 友顺	UTC
2SA1740	文件：1.59806 Mbytes Page：4 Pages	SOT-89-3L Plastic-Encapsulate Transistors TRANSISTOR (PNP) FEATURES ● High breadown voltage ● Excellent hFE linearlity 文件：1.59806 Mbytes 页数：4 Pages	JIANGSU 长电科技	JIANGSU
2SA1740	文件：364.65 Kbytes Page：3 Pages	High-Voltage Driver Applications Features ● High Breakdown Voltage ● Adoption of MBIT Process ● Excellent hFE Linearlity. 文件：364.65 Kbytes 页数：3 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
2SA1740	文件：693.04 Kbytes Page：4 Pages	丝印：AK；Package：SOT-89；PNP Epitaxial Planar Silicon Transistor FEATURES High breakdown voltage. Adoption of MBIT process. Excellent hFE linearlity. APPLICATIONS High-Voltage Driver Applications 文件：693.04 Kbytes 页数：4 Pages	DGNJDZ 南晶电子	DGNJDZ
2SA1740	文件：146.38 Kbytes Page：1 Pages	TRANSISTOR (PNP) FEATURES Power dissipation PCM : 500 mW (Tamb=25℃) Collector current ICM : -200 mA Collector-base voltage V(BR)CBO : -400 V Operating and storage junction temperature range TJ, Tstg: -55℃ to +150℃ 文件：146.38 Kbytes 页数：1 Pages	WINNERJOIN 永而佳	WINNERJOIN
2SA1740	文件：2.08512 Mbytes Page：3 Pages	High voltage driver application FEATURES ● High breadown voltage. ● Excellent hFE linearlity. 文件：2.08512 Mbytes 页数：3 Pages	SKTECHNOLGYSHIKE Electronics 时科广东时科微实业有限公司	SKTECHNOLGY
2SA1740	文件：185.44 Kbytes Page：2 Pages	Plastic-Encapsulate Transistors FEATURES • High breadown voltage • Excellent hFE linearlity 文件：185.44 Kbytes 页数：2 Pages	HOTTECH 合科泰	HOTTECH
2SA1740	文件：64.53 Kbytes Page：1 Pages	Plastic-Encapsulated Transistors TRANSISTOR (PNP) FEATURES Power dissipation PCM : 500 mW (Tamb=25℃) Collector current ICM : -200 mA Collector-base voltage V(BR)CBO : -400 V Operating and storage junction temperature range TJ, Tstg: -55℃ to +150℃ 文件：64.53 Kbytes 页数：1 Pages	TEL	TEL
2SA1740	文件：388.45 Kbytes Page：4 Pages	丝印：AK；Package：SOT-89；PNP Epitaxial Planar Silicon Transistor FEATURES ● High breakdown voltage. ● Adoption of MBIT process. ● Excellent hFE linearlity. APPLICATIONS ● High-Voltage Driver Applications 文件：388.45 Kbytes 页数：4 Pages	BILIN 银河微电	BILIN

晶体管资料

型号：
2SA1740
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-PNP
性质：
开关管（S）_TR_表面帖装型（SMD）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
400V
最大电流允许值：
0.2A
最大工作频率：
70MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
2SA1384,2SA1812,
最大耗散功率：
0.6W
放大倍数：
图片代号：
H-100
vtest：
400
htest：
70000000
atest：
0.2
wtest：
0.6

技术参数

PCM(W)：
0.5
IC(A)：
0.2
VCBO(V)：
400
VCEO(V)：
400
VEBO(V)：
5
hFEMin：
60
hFEMax：
200
hFE@VCE(V)：
10
hFE@IC(A)：
0.05
VCE(sat)(V)：
0.6
VCE(sat)\u001E@IC(A)：
0.05
VCE(sat)\u001E@IB(A)：
0.005
Package：
SOT-89

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多2SA1740供应商更新时间2025-12-28 10:01:00

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