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2SA1726	文件：23.31 Kbytes Page：1 Pages	Silicon PNP Epitaxial Planar Transistor(Audio and General Purpose) 1. Silicon PNP Epitaxial Planar Transistor(Complement to type 2SC4512) 2. Application : Audio and General Purpose 文件：23.31 Kbytes 页数：1 Pages	SANKEN 三垦	SANKEN
2SA1726	文件：112.56 Kbytes Page：2 Pages	Silicon PNP Power Transistor DESCRIPTION • Low Collector Saturation Voltage :VcE 文件：112.56 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SA1726	文件：198.04 Kbytes Page：4 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION • With TO-220C package • Complement to type 2SC4512 APPLICATIONS • Audio and General Purpose 文件：198.04 Kbytes 页数：4 Pages	JMNIC 锦美电子	JMNIC
2SA1726	文件：127.51 Kbytes Page：2 Pages	Silicon PNP Power Transistor DESCRIPTION • Low Collector Saturation Voltage :VcE 文件：127.51 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2SA1726	文件：132.27 Kbytes Page：4 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION • With TO-220C package • Complement to type 2SC4512 APPLICATIONS • Audio and General Purpose 文件：132.27 Kbytes 页数：4 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2SA1727	文件：250.04 Kbytes Page：4 Pages	丝印：A1727；Package：SOT-428；High-voltage Switching Transistor (-400V, -0.5A) High-voltage Switching Transistor (Telephone power supply) (-400V, -0.5A) Features 1) High breakdown voltage, BVCEO= -400V. 2) Low saturation voltage, typically VCE (sat) = -0.3V at IC / IB = -100mA / -10mA. 3) High switching speed, typically tf : 1μs at IC = -100mA. 4) Wide SOA (safe operati 文件：250.04 Kbytes 页数：4 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
2SA1727	文件：31.81 Kbytes Page：1 Pages	High-voltage Switching Transistor (Telephone power supply) High-voltage Switching Transistor (Telephone power supply) (-400V, -0.5A) Features 1) High breakdown voltage, BVCEO= -400V. 2) Low saturation voltage, typically VCE (sat) = -0.3V at IC / IB = -100mA / -10mA. 3) High switching speed, typically tf : 1μs at IC = -100mA. 4) Wide SOA (safe operati 文件：31.81 Kbytes 页数：1 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
2SA1727TLQ	文件：31.81 Kbytes Page：1 Pages	High-voltage Switching Transistor (Telephone power supply) High-voltage Switching Transistor (Telephone power supply) (-400V, -0.5A) Features 1) High breakdown voltage, BVCEO= -400V. 2) Low saturation voltage, typically VCE (sat) = -0.3V at IC / IB = -100mA / -10mA. 3) High switching speed, typically tf : 1μs at IC = -100mA. 4) Wide SOA (safe operati 文件：31.81 Kbytes 页数：1 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
2SA1728	文件：85.09 Kbytes Page：3 Pages	High-Speed Switching Applications · Adoption of FBET process. · Low collector-to-emitter saturation voltage. · Fast switching speed. · Small-sized package. Reference PDF : http://datasheet.ecgoo.net:81/2/2S/2SA1728.pdf 文件：85.09 Kbytes 页数：3 Pages	SANYO 三洋	SANYO
2SA1729	文件：90.04 Kbytes Page：3 Pages	High-Speed Switching Applications High-Speed Switching Applications Features • Adoption of FBET, MBIT processes. • Large current capacity. • Low collector-to-emitter saturation voltage. • Fast switching speed. • Small-sized package. 文件：90.04 Kbytes 页数：3 Pages	SANYO 三洋	SANYO

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晶体管资料

型号：
2SA1741
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-PNP
性质：
开关管（S）_功率放大（L）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
100V
最大电流允许值：
5A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
2SA1441,2SA1469,2SB595,2SB945,2SB1292,
最大耗散功率：
25W
放大倍数：
图片代号：
B-38
vtest：
100
htest：
999900
atest：
5
wtest：
25

技术参数

Vcbo (V)：
-100
VCEO (V)：
-60
Vebo (V)：
-7
IC @25 °C (A)：
-5
VCE (sat) (V)：
-0.5
hFE：
100-400
Pc (W)：
25
fT (Typical) (GHz)：
0.08
Cob (Typical) (pF)：
130

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