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2SA1235A_12

Silicon Epitaxial Planar Transistor

文件:135.88 Kbytes 页数:3 Pages

BILIN

银河微电

2SA1235A_15

PNP Silicon Plastic Encapsulated Transistor

文件:109.17 Kbytes 页数:1 Pages

SECOS

喜可士

2SA1235A_15

PNP TRANSISTOR

文件:136.14 Kbytes 页数:1 Pages

WINNERJOIN

永而佳

2SA1235A_17

Silicon Epitaxial Planar Transistor

文件:87.79 Kbytes 页数:3 Pages

BILIN

银河微电

2SA1235-E

PNP Transistors

文件:1.2128 Mbytes 页数:3 Pages

KEXIN

科信电子

2SA1235-F

PNP Transistors

文件:1.2128 Mbytes 页数:3 Pages

KEXIN

科信电子

2SA1235-G

PNP Transistors

文件:1.2128 Mbytes 页数:3 Pages

KEXIN

科信电子

2SA1235A

双极型晶体管

LGE

鲁光电子

2SA1235A

50V,0.2A,General Purpose PNP Bipolar Transistor

Galaxy

银河微电

晶体管资料

  • 型号:

    2SA1235

  • 别名:

    三极管、晶体管、晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    Si-PNP

  • 性质:

    表面帖装型 (SMD)_通用型 (Uni)

  • 封装形式:

    贴片封装

  • 极限工作电压:

    50V

  • 最大电流允许值:

    0.2A

  • 最大工作频率:

    200MHZ

  • 引脚数:

    3

  • 可代换的型号:

    BC856,BC857,BCW69,BCW70,BCW89,2SA812,2SA1052,2SA1162,2SA1179,2SB709,

  • 最大耗散功率:

  • 放大倍数:

  • 图片代号:

    H-15

  • vtest:

    50

  • htest:

    200000000

  • atest:

    0.2

  • wtest:

    0

技术参数

  • Polarity:

    PNP

  • PCM(W):

    0.2

  • IC(A):

    -0.2

  • VCBO(V):

    -60

  • VCEO(V):

    -50

  • VEBO(V):

    -6

  • hFEMin:

    150

  • hFEMax:

    500

  • hFE@VCE(V):

    -6

  • hFE@IC(A):

    -0.001

  • VCE(sat)(V):

    -0.3

  • VCE(sat)@IC(A):

    -0.1

  • VCE(sat)@IB(A):

    -0.01

  • Package:

    SOT-23

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多2SA1235供应商 更新时间2026-4-17 16:36:00