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2SA1235-G	文件：1.2128 Mbytes Page：3 Pages	PNP Transistors	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
2SA1235	文件：176.26 Kbytes Page：4 Pages	FORLOWFREQUENCYAMPLIFYAPPLICATIONSILICONPNPEPITAXIALTYPE(minitype) FORLOWFREQUENCYAMPLIFYAPPLICATION DESCRIPTION 2SA1235isaminipackageresinsealedsiliconPNPepitaxialtransistor,Itisdesignedforlowfrequencyvoltageapplication. . FEATURE ●Smallcollectortoemittersaturationvoltage. VCE(sat)=-0.3Vmax（@Ic=-100mA,IB=-10mA） ●Excellent	ISAHAYAIsahaya Electronics Corporation Isahaya电子公司	ISAHAYA
2SA1235	文件：37.73 Kbytes Page：1 Pages	SiliconPNPEpitaxial Features Smallcollectortoemittersaturationvoltage. ExcelentlinearyDCforwardcurrentgain. Superminipackageforeasymounting.	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
2SA1235A	文件：109.17 Kbytes Page：1 Pages	PNPSiliconPlasticEncapsulatedTransistor FEATURES LowCollectorCurrent LowCollectorPowerDissipation	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
2SA1235A	文件：295.76 Kbytes Page：2 Pages	SOT-23BIPOLARTRANSISTORSTRANSISTOR(PNP)	RECTRONRECTRON LTD 瑞创深圳市瑞创科技有限公司	RECTRON
2SA1235A	文件：300.42 Kbytes Page：1 Pages	TRANSISTOR(PNP) FEATURES LowCollectorCurrent LowCollectorPowerDissipation	HTSEMIShenzhen Jin Yu Semiconductor Co., Ltd. 金誉半导体深圳市金誉半导体股份有限公司	HTSEMI
2SA1235A	文件：1.62201 Mbytes Page：4 Pages	SOT-23Plastic-EncapsulateTransistors FEATURES LowCollectorCurrent LowCollectorPowerDissipation	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ
2SA1235A	文件：87.79 Kbytes Page：3 Pages	SiliconEpitaxialPlanarTransistor	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 世纪微电子常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
2SA1235A	文件：135.88 Kbytes Page：3 Pages	SiliconEpitaxialPlanarTransistor	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 世纪微电子常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
2SA1235A	文件：136.14 Kbytes Page：1 Pages	TRANSISTOR(PNP) FEATURES Powerdissipation PCM:0.2W(Tamb=25℃) Collectorcurrent ICM:-0.2A Collector-basevoltage V(BR)CBO:-60V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55℃to+150℃	WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD 永而佳实业深圳市永而佳实业有限公司	WINNERJOIN
2SA1235A	文件：313.35 Kbytes Page：2 Pages	PNPTRANSISTOR [DONGGUANSHIHUAYUANELECTRONCO.,LTD.] TRANSISTOR（PNP） FEATURES Powerdissipation PCM:0.2W（Tamb=25℃） Collectorcurrent ICM:-0.2A Collector-basevoltage V(BR)CBO:-60V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ，Tstg:-55℃t	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
2SA1235A	文件：69.34 Kbytes Page：1 Pages	Plastic-EncapsulatedTransistors FEATURES Powerdissipation PCM:0.2W(Tamb=25℃) Collectorcurrent ICM:-0.2A Collector-basevoltage V(BR)CBO:-60V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55℃to+150℃	TEL TRANSYS Electronics Limited	TEL
2SA1235A	文件：135.71 Kbytes Page：3 Pages	SiliconEpitaxialPlanarTransistor FEATURES ●Smallcollectortoemittersaturationvoltage VCE(sat)=-0.3Vmax(@IC=-100mA,IB=-10mA). ●ExcellentlinearyDCforwardcurrentgain. ●Superminipackageforeasymounting. APPLICATIONS ●PNPepitaxialtypetransistordesignedforlowfrequency. ●Voltageamplifyapplication.	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 世纪微电子常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
2SA1235A	文件：180.95 Kbytes Page：5 Pages	FORLOWFREQUENCYAMPLIFYAPPLICATIONSILICONPNPEPITAXIALTYPE(Superminitype) FORLOWFREQUENCYAMPLIFYAPPLICATION FEATURE ・Superminipackageforeasymounting ・ExcellentlinearityofDCforwardgain ・Smallcollectortoemittersaturationvoltage VCE(sat)=-0.3Vmax APPLICATION ForHybridIC,smalltypemachinelowfrequencyvoltageAmplifyappli	ISAHAYAIsahaya Electronics Corporation Isahaya电子公司	ISAHAYA
2SA1235A	文件：854.34 Kbytes Page：4 Pages	SOT-23Plastic-EncapsulateTransistors FEATURES Powerdissipation PCM:0.2W（Tamb=25℃） Collectorcurrent ICM:-0.2A Collector-basevoltage V(BR)CBO:-60V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ，Tstg:-55℃to+150℃	JIANGSU Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd	JIANGSU
2SA1235A	文件：1.261 Mbytes Page：5 Pages	PNPPlastic-EncapsulateTransistors	JINGHENG Jinan Jing Heng Electronics Co., Ltd.	JINGHENG
2SA1235A	文件：1.0584 Mbytes Page：2 Pages	PNPepitaxialtypetransistordesignedforlowfrequency. FEATURES ●Smallcollectortoemittersaturationvoltage VCE(sat)=-0.3Vmax(@IC=-100mA,IB=-10mA). ●ExcellentlinearyDCforwardcurrentgain. ●Superminipackageforeasymounting. APPLICATIONS ●PNPepitaxialtypetransistordesignedforlowfrequency. ●Voltageamplifyapplication.	LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 鲁光电子深圳市鲁光电子科技有限公司	LUGUANG
2SA1235A	文件：1.36869 Mbytes Page：3 Pages	Plastic-EncapsulateTransistors Features LowCollectorCurrent LowCollectorPowerDissipation	GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd . 唯聖電子唯聖電子有限公司	GWSEMI
2SA1235-E	文件：1.2128 Mbytes Page：3 Pages	PNPTransistors	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
2SA1235-F	文件：1.2128 Mbytes Page：3 Pages	PNPTransistors	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多2SA1235-G供应商更新时间2024-6-10 16:16:00

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