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2N7002W	文件：1.85407 Mbytes Page：3 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEFIELDEFFECTTRANSISTOR Features LowOn-Resistance LowGateThresholdVoltage LowInputCapacitance FastSwitchingSpeed LowInput/OutputLeakage Ultra-SmallSurfaceMountPackage MechanicalData Case:SOT-323,MoldedPlastic Terminals:SolderableperMIL-STD-202,Method208 Terminal	SKTECHNOLGYSHIKE Electronics 时科广东时科微实业有限公司	SKTECHNOLGY
2N7002W	文件：121.83 Kbytes Page：9 Pages	SMDMOSFET Features •RDS(ON),VGS@10V,IDS@500mA=5Ω •RDS(ON),VGS@4.5V,IDS@75mA=7.5Ω •Advancedtrenchprocesstechnology. •Highdensitycelldesignforultralowon-resistance. •Speciallydesignedforbatteryoperatedsystem, solid-staterelaysdrivers,relays,displays,lamps, solenoids	FORMOSAFormosa MS 美丽微半导体美丽微半导体股份有限公司	FORMOSA
2N7002W	文件：71.21 Kbytes Page：5 Pages	SmallSignalMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
2N7002W	文件：196.14 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
2N7002W	文件：1.33161 Mbytes Page：6 Pages	ESDProtected:1000V	LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd 雷卯电子上海雷卯电子科技有限公司	LEIDITECH
2N7002W	文件：1.83145 Mbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET Features Lowon-resistance ESDprotectedgateupto2kVHBM High-speedswitching Drivecircuitscanbesimple Paralleluseiseasy	TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD 台舟电子台舟电子股份有限公司	TECHPUBLIC
2N7002WAX	文件：488.7 Kbytes Page：6 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET Features N-ChannelMOSFET LowOn-Resistance LowInputCapacitance FastSwitchingSpeed SmallSurfaceMountPackage ESDProtectedGate1KV Lead-FreeFinish;RoHSCompliant(Notes1&2) HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3) QualifiedtoAEC-Q101Standardsfor	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
2N7002W-G	文件：53.22 Kbytes Page：2 Pages	MOSFET 2N7002W-G(N-Channel) RoHSDevice Features -HighdensitycelldesignforlowRDS(ON). -Voltagecontrolsmallsignalswitch. -Ruggedandreliable. -Highsaturationcurrentcapability.	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司	COMCHIP
2N7002W-TP	文件：216.64 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
2N7002X	文件：1.39247 Mbytes Page：5 Pages	MOSFET(N-Channel)	JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 长电科技江苏长电科技股份有限公司	JIANGSU

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详细参数

型号：
2N7002V-TP
功能描述：
MOSFET 2N-CH 60V 280MA SOT-563
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 阵列
系列：
-
产品目录绘图：
8-SOIC Mosfet Package
标准包装：
1
系列：
- FET
型：
2 个 N 沟道（双） FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
3A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
75 毫欧 @ 4.6A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
20nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
- 功率 -
最大：
1.4W
安装类型：
表面贴装
封装/外壳：
PowerPAK? SO-8
供应商设备封装：
PowerPAK? SO-8
包装：
Digi-Reel®
产品目录页面：
1664(CN2011-ZH PDF)
其它名称：
SI7948DP-T1-GE3DKR

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多2N7002V-TP供应商更新时间2025-5-7 15:00:00

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