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2N7002W	文件：187.86 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
2N7002W	文件：112.83 Kbytes Page：1 Pages	Plastic-EncapsulatedTransistors MOSFET(N-Channel) FEATURES Powerdissipation PD:0.2W(Tamb=25℃) Collectorcurrent ID:115mA Collector-basevoltage VDS:60V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55℃to+150℃	TEL TRANSYS Electronics Limited	TEL
2N7002W	文件：459.89 Kbytes Page：2 Pages	Plastic-EncapsulateMosfets Features •LowOn-Resistance •LowGateThresholdVoltage •LowInputCapacitance •FastSwitchingSpeed •LowInput/OutputLeakage •Ultra-SmallSurfaceMountPackage MechanicalData •Case:SOT-323,MoldedPlastic •Terminals:SolderableperMIL-STD-202,Method208 •TerminalConnectio	HOTTECHGuangdong Hottech Co. Ltd. 合科泰深圳市合科泰电子有限公司	HOTTECH
2N7002W	文件：1.31734 Mbytes Page：4 Pages	N-ChannelMOSFET ■Features ●VDS(V)=60V ●ID=0.34A(VGS=10V) ●RDS(ON)	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
2N7002W	文件：624.06 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor ProductSummary ●VDS60V ●ID340mA ●RDS(ON)(atVGS=10V)	YANGJIEYangzhou yangjie electronic co., ltd 扬州扬杰电子扬州扬杰电子科技股份有限公司	YANGJIE
2N7002W	文件：1.90804 Mbytes Page：5 Pages	MOSFET(N-Channel) SOT-323Plastic-EncapsulateMOSFETS MOSFET(N-Channel) V(BR)DSSRDS(on)MAXID 60V5Ω@10V115mA 7Ω@5V	JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 长电科技江苏长电科技股份有限公司	JIANGSU
2N7002W	文件：361.76 Kbytes Page：3 Pages	N-ChannelMOSFET Features ●HighdensitycelldesignforlowRDS(ON) ●Voltagecontrolledsmallsignalswitch ●Ruggedandreliable ●Highsaturationcurrentcapability	YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD 佑风微电子广东佑风微电子有限公司	YFWDIODE
2N7002W	文件：297.05 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
2N7002W	文件：216.64 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
2N7002W	文件：158.68 Kbytes Page：3 Pages	300mA,60VN-CHANNELPOWERMOSFET	UTCUnisonic Technologies 友顺友顺科技股份有限公司	UTC

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详细参数

型号：
2N7002V-TP
功能描述：
MOSFET 2N-CH 60V 280MA SOT-563
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 阵列
系列：
-
产品目录绘图：
8-SOIC Mosfet Package
标准包装：
1
系列：
- FET
型：
2 个 N 沟道（双） FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
3A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
75 毫欧 @ 4.6A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
20nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
- 功率 -
最大：
1.4W
安装类型：
表面贴装
封装/外壳：
PowerPAK? SO-8
供应商设备封装：
PowerPAK? SO-8
包装：
Digi-Reel®
产品目录页面：
1664(CN2011-ZH PDF)
其它名称：
SI7948DP-T1-GE3DKR

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多2N7002V-TP供应商更新时间2025-5-7 15:00:00

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