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2N7002X	文件：2.29295 Mbytes Page：5 Pages	SOT-89-3LPlastic-EncapsulateMOSFETS FEATURES HighdensitycelldesignforlowRDS(on) Voltagecontrolledsmallsignalswitch Ruggedandreliable Highsaturationcurrentcapability APPLICATION LoadSwitchforPortableDevices DC/DCConverter	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ
2N7002XFB	文件：117.36 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEFIELDMOSFET Features •N-ChannelMOSFET •LowOn-Resistance •LowGateThresholdVoltage •LowInputCapacitance •FastSwitchingSpeed •SmallSurfaceMountPackage •ESDProtectedGate,1.2kVHBM •Lead,HalogenandAntimonyFree,RoHSCompliant •GreenDevice(Notes1and2) •QualifiedtoAEC-Q1	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
2N7002Z	文件：169.71 Kbytes Page：4 Pages	300mAmps,60VoltsN-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET DESCRIPTION TheUTC2N7002ZusesadvancedtechnologytoprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeandoperationwithlowgatevoltages.ThisdeviceissuitableforuseasaloadswitchorinPWMapplications. FEATURES *RDS(ON)	UTCUnisonic Technologies 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
2N7002Z	文件：183.71 Kbytes Page：4 Pages	300mA,60VN-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET	UTCUnisonic Technologies 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
2N7002ZDW	文件：176.96 Kbytes Page：3 Pages	300mAmps,60VoltsDUALN-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET DESCRIPTION TheUTC2N7002ZDWusesadvancedtechnologytoprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeandlowgatevoltagesduringoperation.ThisdeviceissuitableforuseasaloadswitchorinPWMapplications. FEATURES LowReverseTransferCapacitance(CRSS=typical3.0pF)	UTCUnisonic Technologies 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
2N7002ZDW	文件：177.16 Kbytes Page：3 Pages	300mA,60VDUALN-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET	UTCUnisonic Technologies 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
2N7002ZT	文件：164.7 Kbytes Page：3 Pages	300mAmps,60VoltsDUALN-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET DESCRIPTION TheUTC2N7002ZTusesadvancedtechnologytoprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeandlowgatevoltagesduringoperation.ThisdeviceissuitableforuseasaloadswitchorinPWMapplications. FEATURES LowReverseTransferCapacitance(CRSS=typical3.0pF) ESDProtect	UTCUnisonic Technologies 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
2N7002ZT	文件：164.72 Kbytes Page：3 Pages	300mA,60VDUALN-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET	UTCUnisonic Technologies 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
2N7002ZW	文件：164.81 Kbytes Page：3 Pages	300mAmps,60VoltsDUALN-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET DESCRIPTION TheUTC2N7002ZWusesadvancedtechnologytoprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeandlowgatevoltagesduringoperation.ThisdeviceissuitableforuseasaloadswitchorinPWMapplications. FEATURES LowReverseTransferCapacitance(CRSS=typical3.0pF) ESDProtect	UTCUnisonic Technologies 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
2N7002ZW	文件：164.69 Kbytes Page：3 Pages	300mA,60VDUALN-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET	UTCUnisonic Technologies 友顺友顺科技股份有限公司	UTC

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详细参数

型号：
2N7002V-TP
功能描述：
MOSFET 2N-CH 60V 280MA SOT-563
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 阵列
系列：
-
产品目录绘图：
8-SOIC Mosfet Package
标准包装：
1
系列：
- FET
型：
2 个 N 沟道（双） FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
3A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
75 毫欧 @ 4.6A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
20nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
- 功率 -
最大：
1.4W
安装类型：
表面贴装
封装/外壳：
PowerPAK? SO-8
供应商设备封装：
PowerPAK? SO-8
包装：
Digi-Reel®
产品目录页面：
1664(CN2011-ZH PDF)
其它名称：
SI7948DP-T1-GE3DKR

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市鹏顺微电子科技有限公司	2N7002V-TP	Micro Commercial Co	2022+	SOT-563	38550	全新原装支持表配单中国著名电子元器件独立分销	询价
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