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2N7002T	文件：162.91 Kbytes Page：3 Pages	300mA,60VN-CHANNELPOWERMOSFET	UTCUnisonic Technologies 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
2N7002T	文件：191.05 Kbytes Page：3 Pages	N-ChannelPlastic-EncapsulateMOSFETS FEATURES ●HighDensityCellDesignforLowRDS(ON) ●VoltageControlledSmallSignalSwitch ●RuggedandReliable ●HighSaturationCurrentCapability APPLICATION ●LoadSwitchforPortableDevices ●DC/DCConverter	SECELECTRONICS SEC Electronics Inc.	SECELECTRONICS
2N7002T	文件：1.18325 Mbytes Page：5 Pages	SOT-523Plastic-EncapsulateMOSFETS MOSFET(N-Channel) FEATURE ●HighdensitycelldesignforlowRDS(ON) ●Voltagecontrolledsmallsignalswitch ●Ruggedandreliable ●Highsaturationcurrentcapability APPLICATION ●LoadSwitchforPortableDevices ●DC/DCConverter	TGS Tiger Electronic Co.,Ltd	TGS
2N7002T	文件：1.2579 Mbytes Page：3 Pages	Voltagecontrolledsmallsignalswitch Features ■HighdensitycelldesignforlowRDS(ON) ■Voltagecontrolledsmallsignalswitch ■Ruggedandreliable ■Highsaturationcurrentcapability Applications ■LoadSwitchforPortableDevices ■DC/DCConverter	LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd 雷卯电子上海雷卯电子科技有限公司	LEIDITECH
2N7002T	文件：1.00398 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel60-V(D-S)MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21Definition •LowThreshold:2V(typ.) •LowInputCapacitance:25pF •FastSwitchingSpeed:25ns •LowInputandOutputLeakage •TrenchFET®PowerMOSFET •1200VESDProtection •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC BENEFITS •Low	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
2N7002T	文件：2.071949 Mbytes Page：5 Pages	SOT-523Plastic-EncapsulateMOSFETS FEATURE oHighdensitycelldesignforlowRpson) eoltagecontrolledsmallsignalswitch eRuggedandreliable eHighsaturationcurrentcapability APPLICATION ®LoadSwitchforPortableDevices eDC/DCConverter	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ
2N7002T.	文件：1.83389 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel60V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
2N7002TB	文件：147.46 Kbytes Page：5 Pages	60VN-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET FEATURES •RDS(ON),VGS@10V,IDS@500mA=5Ω •RDS(ON),VGS@4.5V,IDS@50mA=7.5Ω •AdvancedTrenchProcessTechnology •HighDensityCellDesignForUltraLowOn-Resistance •SpeciallyDesignedforBatteryOperatedSystems,Solid-StateRelaysDrivers:Relays,Displays,Lamps,Solenoids,Memories,	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
2N7002T-C	文件：191.05 Kbytes Page：3 Pages	N-ChannelPlastic-EncapsulateMOSFETS FEATURES ●HighDensityCellDesignforLowRDS(ON) ●VoltageControlledSmallSignalSwitch ●RuggedandReliable ●HighSaturationCurrentCapability APPLICATION ●LoadSwitchforPortableDevices ●DC/DCConverter	SECELECTRONICS SEC Electronics Inc.	SECELECTRONICS
2N7002TE	文件：432.61 Kbytes Page：1 Pages	N-ChannelMOSFET ■Features ●VDS(V)=60V ●ID=0.29A ●RDS(ON)	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN

详细参数

型号：
2N7002PS
功能描述：
MOSFET MOSFET N-CH DUAL 60V
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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