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2N7002S	文件：121.57 Kbytes Page：5 Pages	SURFACEMOUNTDualN-ChannelEnhancementMOSFET/VOLTAGE60VoltsCURRENT0.250Ampere [CHENMKO] FEATURE Smallsurfacemountingtype.(SC-88/SOT-363) HighdensitycelldesignforlowRDS(ON). Suitableforhighpackingdensity. Ruggedandreliable. Highsaturationcurrentcapability. Voltagecontrolledsmallsignalswitch. APPLICATION Servomotorcontrol. Po	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商未分类制造商	ETC1
2N7002SPT	文件：145.68 Kbytes Page：5 Pages	DualN-ChannelEnhancementMOSFET	CHENMKOCHENMKO ENTERPRISE CO., LTD. 力勤力勤股份有限公司	CHENMKO
2N7002SSPT	文件：423.27 Kbytes Page：5 Pages	DualN-ChannelEnhancementMOSFET	CHENMKOCHENMKO ENTERPRISE CO., LTD. 力勤力勤股份有限公司	CHENMKO
2N7002T	文件：292.9 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET FEATURES: FastSwitchingSpeed LowOn-Resistance LowVoltageDriver APPLICATIONS: Drivers:Relays,Solenoids,Lamps,Hammers,Displays,Memories BatteryOperatedSystems PowerSupplyConverterCircuits *Load/PowerSwitchingCellPhones,Pagers	WEITRON Weitron Technology	WEITRON
2N7002T	文件：121.52 Kbytes Page：3 Pages	SmallSignalMOSFET FEATURES ●HighdensitycelldesignforlowRDS(ON). ●Voltagecontrolledsmallsignalswitch. ●Ruggedandreliable. ●Highsaturationcurrentcapability.	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
2N7002T	文件：333.8 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor Features •LowOn-Resistance •LowGateThresholdVoltage •LowInputCapacitance •FastSwitchingSpeed •LowInput/OutputLeakage •Ultra-SmallSurfaceMountPackage •LeadFree/RoHSCompliant	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
2N7002T	文件：156.68 Kbytes Page：2 Pages	Plastic-EncapsulatedTransistors FEATURES Powerdissipation PD:0.15W(Tamb=25℃) Collectorcurrent ID:115mA Collector-basevoltage VDS:60V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55℃to+150℃	TELTokyo Electron Ltd. 东电电子东京电子有限公司	TEL
2N7002T	文件：447.74 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEFIELDEFFECTTRANSISTOR	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
2N7002T	文件：85.79 Kbytes Page：3 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEFIELDEFFECTTRANSISTOR DescriptionandApplications ThisnewgenerationMOSFEThasbeendesignedtominimizetheonstateresistance(RDS(on))andyetmaintainsuperiorswitchingperformance,makingitidealforhighefficiencypowermanagement applications. •DC-DCConverters •Powermanagementfunctions •Battery	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
2N7002T	文件：148.53 Kbytes Page：3 Pages	300mAmps,60VoltsN-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION TheUTC2N7002Thasbeendesignedtominimizeon-stateresistancewhileproviderugged,reliable,andfastswitchingperformance.Itcanbeusedinmostapplicationsrequiringupto400mADCandcandeliverpulsedcurrentsupto2A.Theproductisparticularlysuitedforlowvoltage,	UTCUnisonic Technologies 友顺友顺科技股份有限公司	UTC

详细参数

型号：
2N7002PS
功能描述：
MOSFET MOSFET N-CH DUAL 60V
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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