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2N7002KDW_V01	文件：308.91 Kbytes Page：7 Pages	60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET - ESD Protected FEATURES • RDS(ON), VGS@10V,IDS@500mA=3Ω • RDS(ON), VGS@4.5V,IDS@200mA=4Ω • Advanced Trench Process Technology • High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance • Very Low Leakage Current In Off Condition • Specially Designed for Battery Operated Systems, Solid-State Relays Drivers : R 文件：308.91 Kbytes 页数：7 Pages	PANJIT 強茂	PANJIT
2N7002KDWA	文件：429.13 Kbytes Page：3 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Features • High density cell design for Low RDS(ON) • Voltage controlled small signal switch • Rugged and reliable • High saturation current capability • ESD protected up to 2KV • Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating • Moisture Sensitivity Level 1 • Halogen free available upon request 文件：429.13 Kbytes 页数：3 Pages	MCC	MCC
2N7002KDW-AU	文件：599.54 Kbytes Page：6 Pages	60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET – ESD Protected Features  RDS(ON), VGS@10V, ID@500mA 文件：599.54 Kbytes 页数：6 Pages	PANJIT 強茂	PANJIT
2N7002KDW-AU	文件：326.6 Kbytes Page：7 Pages	60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET - ESD Protected FEATURES • RDS(ON), VGS@10V,IDS@500mA=3Ω • RDS(ON), VGS@4.5V,IDS@200mA=4Ω • Advanced Trench Process Technology • High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance • Very Low Leakage Current In Off Condition • Specially Designed for Battery Operated Systems, Solid-State Relays Drivers 文件：326.6 Kbytes 页数：7 Pages	PANJIT 強茂	PANJIT
2N7002KDW-AU_R1_000A1	文件：599.54 Kbytes Page：6 Pages	丝印：K27；Package：SOT-363；60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET – ESD Protected Features  RDS(ON), VGS@10V, ID@500mA 文件：599.54 Kbytes 页数：6 Pages	PANJIT 強茂	PANJIT
2N7002KDW-AU_V01	文件：599.54 Kbytes Page：6 Pages	60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET – ESD Protected Features  RDS(ON), VGS@10V, ID@500mA 文件：599.54 Kbytes 页数：6 Pages	PANJIT 強茂	PANJIT
2N7002KDW-CAR	文件：337.35 Kbytes Page：4 Pages	丝印：72K；Package：SOT-363；Plastic-Encapsulate MOSFETS FEATURE High density cell design for Low RDS（on） Voltage controlled small signal switch Rugged and reliable High saturation current capability ESD protected -CAR for automotive and other applications requiring unique site and control change requirements;AEC-Q101 qualified and PPAP ca 文件：337.35 Kbytes 页数：4 Pages	GWSEMI 唯圣电子	GWSEMI
2N7002KDW-HF	文件：511.93 Kbytes Page：5 Pages	MOSFET Features - High density cell design for low RDS(ON). - Voltage controlled small signal switch. - High saturation current capability. - ESD protected. 文件：511.93 Kbytes 页数：5 Pages	COMCHIP 典琦	COMCHIP
2N7002KDW_10	文件：119.97 Kbytes Page：5 Pages	60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET - ESD Protected 文件：119.97 Kbytes 页数：5 Pages	PANJIT 強茂	PANJIT
2N7002KDW_14	文件：170.62 Kbytes Page：6 Pages	60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET - ESD Protected 文件：170.62 Kbytes 页数：6 Pages	PANJIT 強茂	PANJIT

技术参数

ESD：
Y
Polarity：
N/N
Config.：
Dual
VDS[V]：
60
VGS[±V]：
20
ID[A]：
0.1
RDS(on) Max. (mΩ)[10V]：
3000
RDS(on) Max. (mΩ)[4.5V]：
4000
Ciss Typ.[pF]：
35
VGS(th) Max.[V]：
2.5
Qg Typ. (nC)[4.5V]：
0.8
Package：
SOT-363

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