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2N7002LL	文件：162.25 Kbytes Page：3 Pages	60V,115mA,N-CHANNELMOSFET DESCRIPTION TheUTC2N7002LLusesadvancedtechnologytoprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeandoperationwithlowgatevoltages.ThisdeviceissuitableforuseasaloadswitchorinPWMapplications. FEATURES RDS(ON)=7.5Ω@VGS=10V LowReverseTransferCapacitanc	UTCUnisonic Technologies 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
2N7002LL	文件：166.31 Kbytes Page：3 Pages	60V,115mAN-CHANNELPOWERMOSFET	UTCUnisonic Technologies 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
2N7002M	文件：256.12 Kbytes Page：4 Pages	MOSFET(N-Channel)	JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 长电科技江苏长电科技股份有限公司	JIANGSU
2N7002MTF	文件：162.29 Kbytes Page：4 Pages	AdvancedSmallSignalMOSFET BVDSS=60V RDS(on)=5.0Ω ID=200mA FEATURES ●LowerRDS(on) ●ImprovedInductiveRuggedness ●FastSwitchingTimes ●LowerInputCapacitance ●ExtendedSafeOperatingArea ●ImprovedHighTemperatureReliability	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
2N7002MTF	文件：116.48 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelSmallSignalMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
2N7002NT	文件：435.27 Kbytes Page：3 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd 雷卯电子上海雷卯电子科技有限公司	LEIDITECH
2N7002NXAK	文件：279.69 Kbytes Page：14 Pages	60V,singleN-channelTrenchMOSFET 1.Generaldescription N-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inasmallSOT23(TO-236AB) Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackageusingTrenchMOSFETtechnology. 2.Featuresandbenefits •Veryfastswitching •TrenchMOSFETtechnology •ESDprotected 3.Applications	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
2N7002NXBK	文件：288.98 Kbytes Page：14 Pages	60V,N-channelTrenchMOSFET 1.Generaldescription N-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inasmallSOT23(TO-236AB) Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackageusingTrenchMOSFETtechnology. 2.Featuresandbenefits •Logic-levelcompatible •Veryfastswitching •TrenchMOSFETtechnology •Elect	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
2N7002P	文件：283.93 Kbytes Page：15 Pages	60V,360mAN-channelTrenchMOSFET 1.Generaldescription N-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inasmallSOT23(TO-236AB) Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackageusingTrenchMOSFETtechnology. 2.Featuresandbenefits •Logic-levelcompatible •Veryfastswitching •TrenchMOSFETtechnology •AEC	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
2N7002PS	文件：294.36 Kbytes Page：15 Pages	60V,320mAdualN-channelTrenchMOSFET 1.Generaldescription DualN-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inaverysmallSOT363(SC-88) Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackageusingTrenchMOSFETtechnology. 2.Featuresandbenefits •Logic-levelcompatible •Veryfastswitching •TrenchMOSFETtechnolog	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA

详细参数

型号：
2N7002K-TP
功能描述：
MOSFET 350mW, 60V, 340mA
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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