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2N7002PT	文件：184.33 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor-0.25Amp60Volt □Feature -Smallsurfacemountingtype -HighdensitycelldesignforlowRDS(ON) -Suitableforhighpackingdensity -Ruggedandreliable -Highsaturationcurrentcapability -Voltagecontrolledsmallsignalswitch □Application -Servomotorcontrol -PowerMOSFETgatedrivers -Othe	SIRECTSirectifier Global Corp. 矽莱克半导体深圳市矽莱克半导体有限公司	SIRECT
2N7002PT	文件：191.36 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor VOLTAGE60VoltsCURRENT0.250Ampere FEATURE Smallsurfacemountingtype.(SOT-23) HighdensitycelldesignforlowRDS(ON). Suitableforhighpackingdensity. Ruggedandreliable. Highsaturationcurrentcapability. Voltagecontrolledsmallsignalswitch. APPLICATION *Servo	CHENMKOCHENMKO ENTERPRISE CO., LTD. 力勤力勤股份有限公司	CHENMKO
2N7002PT	文件：430.71 Kbytes Page：17 Pages	60V,310mAN-channelTrenchMOSFET 1.1Generaldescription N-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inasmallSOT416(SC-75) Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackageusingTrenchMOSFETtechnology. 1.2Featuresandbenefits Logic-levelcompatible Veryfastswitching TrenchMOSFETtechnology AEC-Q	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
2N7002PV	文件：272.01 Kbytes Page：14 Pages	60V,350mAdualN-channelTrenchMOSFET 1.Generaldescription DualN-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inanultrasmallSOT666 Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackageusingTrenchMOSFETtechnology. 2.Featuresandbenefits •Logic-levelcompatible •Veryfastswitching •TrenchMOSFETtechnology 3.Ap	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
2N7002PW	文件：1.01359 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel60-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI

详细参数

型号：
2N7002K-TP
功能描述：
MOSFET 350mW, 60V, 340mA
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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