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2N7002PS	文件：382.95 Kbytes Page：16 Pages	60V,320mAN-channelTrenchMOSFET Generaldescription DualN-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inaverysmallSOT363(SC-88)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackageusingTrenchMOSFETtechnology. Featuresandbenefits ●Logic-levelcompatible ●Veryfastswitching ●TrenchMOSFETtechnology ●AEC-	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
2N7002PS	文件：294.36 Kbytes Page：15 Pages	60V,320mAdualN-channelTrenchMOSFET 1.Generaldescription DualN-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inaverysmallSOT363(SC-88) Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackageusingTrenchMOSFETtechnology. 2.Featuresandbenefits •Logic-levelcompatible •Veryfastswitching •TrenchMOSFETtechnolog	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
2N7002PT	文件：184.33 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor-0.25Amp60Volt □Feature -Smallsurfacemountingtype -HighdensitycelldesignforlowRDS(ON) -Suitableforhighpackingdensity -Ruggedandreliable -Highsaturationcurrentcapability -Voltagecontrolledsmallsignalswitch □Application -Servomotorcontrol -PowerMOSFETgatedrivers -Othe	SIRECTSirectifier Global Corp. 矽莱克半导体深圳市矽莱克半导体有限公司	SIRECT
2N7002PT	文件：191.36 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor VOLTAGE60VoltsCURRENT0.250Ampere FEATURE Smallsurfacemountingtype.(SOT-23) HighdensitycelldesignforlowRDS(ON). Suitableforhighpackingdensity. Ruggedandreliable. Highsaturationcurrentcapability. Voltagecontrolledsmallsignalswitch. APPLICATION *Servo	CHENMKOCHENMKO ENTERPRISE CO., LTD. 力勤力勤股份有限公司	CHENMKO
2N7002PT	文件：332.82 Kbytes Page：16 Pages	Logic-levelcompatible Generaldescription N-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inasmallSOT416(SC-75)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackageusingTrenchMOSFETtechnology. Featuresandbenefits ■Logic-levelcompatible ■Veryfastswitching ■TrenchMOSFETtechnology ■AEC-Q101quali	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
2N7002PT	文件：430.71 Kbytes Page：17 Pages	60V,310mAN-channelTrenchMOSFET 1.1Generaldescription N-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inasmallSOT416(SC-75) Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackageusingTrenchMOSFETtechnology. 1.2Featuresandbenefits Logic-levelcompatible Veryfastswitching TrenchMOSFETtechnology AEC-Q	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
2N7002PV	文件：168.81 Kbytes Page：16 Pages	60V,350mAN-channelTrenchMOSFET Generaldescription DualN-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inanultrasmallandflatleadSOT666Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackageusingTrenchMOSFETtechnology. Featuresandbenefits ●Logic-levelcompatible ●Veryfastswitching ●TrenchMOSFETtechnology	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
2N7002PV	文件：272.01 Kbytes Page：14 Pages	60V,350mAdualN-channelTrenchMOSFET 1.Generaldescription DualN-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inanultrasmallSOT666 Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackageusingTrenchMOSFETtechnology. 2.Featuresandbenefits •Logic-levelcompatible •Veryfastswitching •TrenchMOSFETtechnology 3.Ap	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
2N7002PW	文件：173.23 Kbytes Page：16 Pages	60V,0.3AN-channelTrenchMOSFET Generaldescription N-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inaverysmallSOT323(SC-70)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackageusingTrenchMOSFETtechnology. Featuresandbenefits ●Logic-levelcompatible ●Veryfastswitching ●TrenchMOSFETtechnology ●AEC-Q101	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
2N7002PW	文件：1.01359 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel60-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI

详细参数

型号：
2N7002K-TP
功能描述：
MOSFET 350mW, 60V, 340mA
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多2N7002K-TP供应商更新时间2025-5-15 19:41:00

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