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2N7002E-7-G	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - FET，MOSFET - 单个描述：MOSFET N-CH 60V SOT23	DIODES 美台半导体	DIODES
2N7002E-7-F	文件：110.77 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：110.77 Kbytes 页数：5 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
2N7002E-7-F	文件：84.36 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR 文件：84.36 Kbytes 页数：4 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
2N7002E-7-F	文件：419.09 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Description This MOSFET has been designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) and yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications. Features and Benefits • Low On-Resistance • Low Gate Threshold Voltage • Low Input Capaci 文件：419.09 Kbytes 页数：4 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES

产品属性

产品编号：
2N7002E-7-G
制造商：
Diodes Incorporated
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
包装：
卷带（TR）
描述：
MOSFET N-CH 60V SOT23

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更多2N7002E-7-G供应商更新时间2025-11-4 9:03:00

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