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2N7002AK	文件：965.81 Kbytes Page：5 Pages	丝印：NJ；Package：SOT-23；N-Channel Enhancement MOSFET High Speed Switching Applications ESD protected gate Low ON-resistance RDS(on) = 2.8 Ω (typ.) (@VGS = 10 V) RDS(on) = 3.1 Ω (typ.) (@VGS = 5 V) RDS(on) = 3.2 Ω (typ.) (@VGS = 4.5 V) 文件：965.81 Kbytes 页数：5 Pages	YFWDIODE 佑风微	YFWDIODE
2N7002AK-Q	文件：288.64 Kbytes Page：15 Pages	60 V, N-channel Trench MOSFET General description N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. Features and benefits • Logic-level compatible • Extended temperature range Tj = 175 °C • Trench MOSFET technology • El 文件：288.64 Kbytes 页数：15 Pages	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
2N7002AKQB-Q	文件：301.46 Kbytes Page：15 Pages	丝印：QK；Package：DFN1110D-3；60 V, N-channel Trench MOSFET 1. General description N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless ultra small DFN1110D-3 (SOT8015) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits • Logic-level compatible • Extended temperature range Tj = 175 文件：301.46 Kbytes 页数：15 Pages	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
2N7002AK-QR	文件：288.64 Kbytes Page：15 Pages	60 V, N-channel Trench MOSFET General description N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. Features and benefits • Logic-level compatible • Extended temperature range Tj = 175 °C • Trench MOSFET technology • El 文件：288.64 Kbytes 页数：15 Pages	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
2N7002AKRA-Q	文件：317.65 Kbytes Page：15 Pages	丝印：D3；Package：SOT1268；60 V, dual N-channel Trench MOSFET 1. General description Dual N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in an ultra small DFN1412-6 (SOT1268) leadless Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits • Logic-level compatible • Very fast switching • Trench 文件：317.65 Kbytes 页数：15 Pages	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
2N7002AK	文件：300 bytes Page：1 Pages	小信号MOSFET	Jingdao 晶导	Jingdao
2N7002AKQB-Q	文件：300 bytes Page：1 Pages	60 V, N-channel Trench MOSFET N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless ultra small DFN1110D-3 (SOT8015) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.	Nexperia 安世	Nexperia
2N7002AKRA-Q	文件：300 bytes Page：1 Pages	60 V, dual N-channel Trench MOSFET Dual N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in an ultra small DFN1412-6 (SOT1268) leadless Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.	Nexperia 安世	Nexperia

技术参数

Package name：
SOT23
Product status：
Production
Channel type：
N
Nr of transistors：
1
VDS [max] (V)：
60
RDSon [max] @ VGS = 10 V (mΩ)：
3000
RDSon [max] @ VGS = 5 V (mΩ)：
3600
Tj [max] (°C)：
175
ID [max] (A)：
0.24
QGD [typ] (nC)：
0.051
QG(tot) [typ] @ VGS = 10 V (nC)：
0.21000001
Ptot [max] (W)：
0.32
Qr [typ] (nC)：
1
VGSth [typ] (V)：
1.7
Automotive qualified：
Y
Ciss [typ] (pF)：
9.2
Coss [typ] (pF)：
1.6
Release date：
2023-11-30

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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